BZD27C4V3Pの技術仕様
Rectron USA - BZD27C4V3P技術仕様、属性、パラメーター、およびRectron USA - BZD27C4V3P仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Rectron USA | |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 4.3 V | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | - | |
公差 | ±6% | |
サプライヤデバイスパッケージ | SOD-123FL | |
電力 - 最大 | 800 mW |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | SOD-123F | |
運転温度 | - | |
装着タイプ | Surface Mount | |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 4 Ohms | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 25 µA @ 1 V |
右側の三つのパーツはRectron USA BZD27C4V3Pと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | BZD27C4V3P | BZD27C47P | BZD27C43P-E3-08 | BZD27C47P-E3-08 |
メーカー | Rectron USA | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 4.3 V | 47 V | 43 V | 47 V |
サプライヤデバイスパッケージ | SOD-123FL | Sub SMA | DO-219AB (SMF) | DO-219AB (SMF) |
運転温度 | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 25 µA @ 1 V | 1 µA @ 36 V | 1 µA @ 33 V | 1 µA @ 36 V |
電力 - 最大 | 800 mW | 1 W | 800 mW | 800 mW |
公差 | ±6% | ±6.38% | - | - |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 4 Ohms | 45 Ohms | 45 Ohms | 45 Ohms |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | - | 1.2 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA |
パッケージ/ケース | SOD-123F | SOD-123 | DO-219AB | DO-219AB |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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