RFD20N03SM9Aの技術仕様
Harris Corporation - RFD20N03SM9A技術仕様、属性、パラメーター、およびHarris Corporation - RFD20N03SM9A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Harris Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252-3 (DPAK) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 90W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1150 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 75 nC @ 20 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはHarris Corporation RFD20N03SM9Aと同様の仕様
| 製品属性 | |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RFD20N03SM9A | RFD3055 | RFD16N06LESM9A | RFD16N06LESM9A |
| メーカー | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 5V | 5V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252-3 (DPAK) | I-PAK | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 20A, 10V | 150mOhm @ 12A, 10V | 47mOhm @ 16A, 5V | 47mOhm @ 16A, 5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 75 nC @ 20 V | 23 nC @ 20 V | 62 nC @ 10 V | 62 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | 12A (Tc) | 16A (Tc) | 16A (Tc) |
| パッケージ | Bulk | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 90W (Tc) | 53W (Tc) | 90W (Tc) | 90W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | +10V, -8V | +10V, -8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1150 pF @ 25 V | 300 pF @ 25 V | 1350 pF @ 25 V | 1350 pF @ 25 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| シリーズ | - | - | - | - |
RFD22301RF DigitalRF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANTRFD3055Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 12A IPAKRFD16N06LESM9AFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1RFD3055 MOSFairchild (onsemi)RFD16N06LESM MOSFairchild (onsemi)
RFD16N06SM9AIntersil (Renesas Electronics Corporation)RFD16N06LEFAIRFD16N06LESM9AonsemiMOSFET N-CH 60V 16A TO252AARFD3055Harris CorporationMOSFET N-CH 60V 12A IPAKRFD16N06LFairchild (onsemi)RFD16N06LESM 16N06LEFairchild (onsemi)RFD20N03SMHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETRFD3055L F3055LFairchild (onsemi)
RFD3055LEonsemiMOSFET N-CH 60V 11A IPAK
RFD21731RF DigitalMODULE RF TXRX LONG RANGE 15MMRFD3055onsemiMOSFET N-CH 60V 12A IPAKRFD16N06LESMFairchild (onsemi)RFD3055LHAR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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