RFD14N05Lの技術仕様
Harris Corporation - RFD14N05L技術仕様、属性、パラメーター、およびHarris Corporation - RFD14N05L仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Harris Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±10V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 14A, 5V | |
| 電力消費（最大） | 48W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 670 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 50 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはHarris Corporation RFD14N05Lと同様の仕様
| 製品属性 | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RFD14N05L | RFD14N05L | RFD12N06RLESM9A | RFD14N05SM |
| メーカー | Harris Corporation | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| シリーズ | - | - | UltraFET™ | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Tc) | 14A (Tc) | 18A (Tc) | 14A (Tc) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 電力消費（最大） | 48W (Tc) | 48W (Tc) | 49W (Tc) | 48W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 50 V | 50 V | 60 V | 50 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | I-PAK | TO-252, (D-Pak) | TO-252, (D-Pak) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 670 pF @ 25 V | 670 pF @ 25 V | 485 pF @ 25 V | 570 pF @ 25 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 40 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 40 nC @ 20 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V | 5V | 4.5V, 10V | 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±10V | ±10V | ±16V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 14A, 5V | 100mOhm @ 14A, 5V | 63mOhm @ 18A, 10V | 100mOhm @ 14A, 10V |
RFD12N06RLESM9A MOSFairchild (onsemi)RFD14N05LonsemiMOSFET N-CH 50V 14A I-PAKRFD12N06RLESMFairchild (onsemi)RFD12N06RLESM9AFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1RFD14N05SMFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
RFD14N05LSM9AonsemiMOSFET N-CH 50V 14A TO252AARFD14N05SM9RFD14N05LSM9AHarris CorporationMOSFET N-CH 50V 14A TO252AARFD12N06RLESM9AonsemiMOSFET N-CH 60V 18A TO252AARFD14N05Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 50V 14A IPAKRFD14N05onsemiMOSFET N-CH 50V 14A I-PAKRFD14N05L 14N05LFairchild (onsemi)RFD14N05L MOSFairchild (onsemi)RFD14N05LSMonsemiMOSFET N-CH 50V 14A TO252AARFD12N06RLESM 12N6LEFairchild (onsemi)RFD14N05SMonsemiMOSFET N-CH 50V 14A TO252AARFD14N05LSM MOSFairchild (onsemi)RFD12N06RLEonsemiMOSFET N-CH 60V 18A IPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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