QH05BZ600の技術仕様
Power Integrations - QH05BZ600技術仕様、属性、パラメーター、およびPower Integrations - QH05BZ600仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Power Integrations | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 3.1 V @ 5 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | Qspeed™ | |
| 逆回復時間（trrの） | 10 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | 150°C (Max) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 250 µA @ 600 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 5A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 17pF @ 10V, 1MHz |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 3 (168 Hours) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはPower Integrations QH05BZ600と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | QH05BZ600 | RFN5BM6STL | S1M-13 | NSR01F30NXT5G |
| メーカー | Power Integrations | Rohm Semiconductor | Diodes Incorporated | Fairchild Semiconductor |
| 動作温度 - ジャンクション | 150°C (Max) | 150°C | -65°C ~ 150°C | 125°C (Max) |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 250 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 1000 V | 50 µA @ 30 V |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DO-214AC, SMA | 0201 (0603 Metric) |
| 逆回復時間（trrの） | 10 ns | 50 ns | 3 µs | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 3.1 V @ 5 A | 1.55 V @ 5 A | 1.1 V @ 1 A | 500 mV @ 100 mA |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | 600 V | 1000 V | 30 V |
| Vrと、F @キャパシタンス | 17pF @ 10V, 1MHz | - | 10pF @ 4V, 1MHz | 7pF @ 5V, 1MHz |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 5A | 5A | 1A | 100mA |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Schottky |
| シリーズ | Qspeed™ | - | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB | TO-252 | SMA | 2-DSN (0.60x0.30) |
QH05BZ600 - Power IntegrationsのQH05BZ600 PDFデータテーブルとPower Integrationsドキュメントをダウンロード
RFN5BM6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A TO252S1M-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SMANSR01F30NXT5GFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.1A,
1N3210Solid State Inc.DIODE GEN PURP 200V 40A DO5
ZHCS1000TCDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23-3
QH05TZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
ES3DHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 3A DO214ABQH08BZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
BYG22D-E3/TR3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
FFPF10UP60STUonsemiDIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
QH0P ESIntelQH03BZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB
R3210Microchip TechnologySTD RECTIFIERQH03TZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 3A TO220ACQH08TZ600Power IntegrationsDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACMSR860onsemiDIODE GEN PURP 600V 8A TO220-21N1188Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 40A DO5
ES3G R7GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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