IGD515EIの技術仕様
Power Integrations - IGD515EI技術仕様、属性、パラメーター、およびPower Integrations - IGD515EI仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Power Integrations | |
| 電源電圧 - | 12V ~ 16V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module | |
| シリーズ | SCALE™-1 | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 40ns, 40ns | |
| パッケージ/ケース | Module | |
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | |
| 入力周波数 | 1 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.9V, 3.8V | |
| 入力タイプ | - | |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | High-Side or Low-Side | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 15A, 15A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single | |
| 基本製品番号 | IGD515 |
右側の三つのパーツはPower Integrations IGD515EIと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IGD515EI | IGD616NT1 | IGD616IT1 | IGD515EI-34 |
| メーカー | Power Integrations | Power Integrations | Power Integrations | Power Integrations |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module | Module | Module | Module |
| 基本製品番号 | IGD515 | IGD616 | IGD616 | IGD515 |
| 駆動構成 | High-Side or Low-Side | High-Side or Low-Side | High-Side or Low-Side | High-Side or Low-Side |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.9V, 3.8V | - | - | 0.9V, 3.8V |
| パッケージ/ケース | Module | 36-DIP Module, 24 Leads | 36-DIP Module, 24 Leads | 36-DIP Module, 24 Leads |
| パッケージ | Bulk | Tray | Tray | Tray |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 40ns, 40ns | 100ns, 80ns | 100ns, 80ns | 40ns, 40ns |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single | Single | Single | Single |
| 電源電圧 - | 12V ~ 16V | 14V ~ 16V | 14V ~ 16V | 12V ~ 16V |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 15A, 15A | - | - | 15A, 15A |
| シリーズ | SCALE™-1 | SCALE™-1 | SCALE™-1 | SCALE™-1 |
| 入力タイプ | - | Non-Inverting | Inverting | - |
| 入力周波数 | 1 | 1 | 1 | 1 |
IGD515EI - Power IntegrationsのIGD515EI PDFデータテーブルとPower Integrationsドキュメントをダウンロード
IGD01N120H2 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IGD-8-426-E1F12-BH-FASEMIKRONIGBT ModuleIGDD6-1-326-D1616-E1N6-DL-FASEMIKRONIGBT ModuleIGD06N60T G06T60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGD06T60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGD616NT1Power IntegrationsPOWER MODULE GATE DRVRIGD1102IKIGD615AICONCEPTIGBT ModuleIGD1101BIKIGD06N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGDD6-1-426-D1616-E1N6-DL-FASEMIKRONIGBT ModuleIGD01N120H2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGD001PIIGD616IT1Power IntegrationsPOWER MODULE GATE DRVRIGD515EI-34Power IntegrationsIC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULEIGD515EI-17CONCEPTIGBT ModuleIGD01N120H2 G1H1202Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGD616Power IntegrationsIC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。