FL6L52060Lの技術仕様
Panasonic Electronic Components - FL6L52060L技術仕様、属性、パラメーター、およびPanasonic Electronic Components - FL6L52060L仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Panasonic | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.1V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±10V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | WSSMini6-F1 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 120mOhm @ 1A, 4V | |
| 電力消費（最大） | 540mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | 125°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 300 pF @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8 V, 4V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Ta) |
右側の三つのパーツはPanasonic Electronic Components FL6L52060Lと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FL6L52060L | MMBF170-7 | STP7NK40Z | NTMFS5C410NLT1G |
| メーカー | Panasonic Electronic Components | Diodes Incorporated | STMicroelectronics | onsemi |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 300 pF @ 10 V | 40 pF @ 10 V | 535 pF @ 25 V | 8862 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±10V | ±20V | ±30V | ±20V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | WSSMini6-F1 | SOT-23-3 | TO-220 | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Ta) | 500mA (Ta) | 5.4A (Tc) | 46A (Ta), 302A (Tc) |
| FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 540mW (Ta) | 300mW (Ta) | 70W (Tc) | 3.2W (Ta), 139W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 60 V | 400 V | 40 V |
| シリーズ | - | - | SuperMESH™ | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8 V, 4V | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-220-3 | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | 125°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.1V @ 1mA | 3V @ 250µA | 4.5V @ 50µA | 2V @ 250µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 120mOhm @ 1A, 4V | 5Ohm @ 200mA, 10V | 1Ohm @ 2.7A, 10V | 0.9mOhm @ 50A, 10V |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
FL6L52060L - Panasonic Electronic ComponentsのFL6L52060L PDFデータテーブルとPanasonic Electronic Componentsドキュメントをダウンロード
MMBF170-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3STP7NK40ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 400V 5.4A TO220ABNTMFS5C410NLT1GonsemiMOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN
AON6754Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 52A/85A 8DFN
FL6300AMYonsemiIC LED DRIVER CTRLR PWM 8SOIC
STW10NK80ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
UPA2714GR(0)-E1-ARenesas Electronics America IncTRANSISTOR
FQA5N90onsemiMOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P
SCH1333-TL-HonsemiMOSFET P-CH 20V 2A 6SCHFL6961MYonsemiIC PFC CTRLR BCM 8SOP
FQPF44N10onsemiMOSFET N-CH 100V 27A TO220F
FL6961MYFairchild SemiconductorSINGLE-STAGE FLYBACK AND BOUNDAR
SI6435ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
PJA3415AE_R1_00001Panjit International Inc.SOT-23, MOSFET
IRF840ASPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
APT28M120B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
STD60NF55LT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 55V 60A DPAK
FDD6635Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。