FK3306010Lの技術仕様
Nuvoton Technology Corporation - FK3306010L技術仕様、属性、パラメーター、およびNuvoton Technology Corporation - FK3306010L仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Nuvoton Technology Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 1µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SSSMini3-F2-B | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12Ohm @ 10mA, 4V | |
| 電力消費（最大） | 100mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-723 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 12 pF @ 3 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | FK3306010 |
右側の三つのパーツはNuvoton Technology Corporation FK3306010Lと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FK3306010L | SI8816EDB-T2-E1 | FDMS86202 | FK3303010L |
| メーカー | Nuvoton Technology Corporation | Vishay Siliconix | onsemi | Panasonic Electronic Components |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4V | 2.5V, 10V | 6V, 10V | 2.5V, 4V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 12 pF @ 3 V | 195 pF @ 15 V | 4250 pF @ 60 V | 12 pF @ 3 V |
| シリーズ | - | TrenchFET® | PowerTrench® | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 30 V | 120 V | 30 V |
| パッケージ/ケース | SOT-723 | 4-XFBGA | 8-PowerTDFN | SOT-723 |
| 運転温度 | 150°C | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 1µA | 1.4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1.5V @ 1µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 100mW (Ta) | 500mW (Ta) | 2.7W (Ta), 156W (Tc) | 100mW (Ta) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SSSMini3-F2-B | 4-Microfoot | 8-PQFN (5x6) | SSSMini3-F2-B |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100mA (Ta) | 1.5A (Ta) | 13.5A (Ta) | 100mA (Ta) |
| 基本製品番号 | FK3306010 | SI8816 | FDMS86 | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12Ohm @ 10mA, 4V | 109mOhm @ 1A, 10V | 7.2mOhm @ 13.5A, 10V | 3Ohm @ 10mA, 4V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Vgs（最大） | ±12V | ±12V | ±20V | ±12V |
FK360602ELAMI Semiconductor/onsemi
FK3303010L MOSPanasonicSI8816EDB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 4MICROFOOTFDMS86202onsemiMOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56FK30SM-6MITSUBISHIFK3303010LPanasonic Electronic ComponentsMOSFET N-CH 30V 100MA SSSMINI3
FDY302NZFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IRFS11N50ATRLPVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 11A TO263ABFK30SM-5
IRF2907ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 160A TO220ABFK330309ELPANASOMICFK3306010LPanasonic Electronic ComponentsMOSFET N-CH 60V 100MA SSSMINI3
RSC002P03T316Rohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 250MA SST3
IRLIZ14GPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 8A TO220-3SI7116DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
FK3906010LPanasonic Electronic ComponentsMOSFET N-CH 60V 100MA SSMINI3FK330301OLPanasonicSIS424DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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