PSMN8R9-100BSEJの技術仕様
Nexperia USA Inc. - PSMN8R9-100BSEJ技術仕様、属性、パラメーター、およびNexperia USA Inc. - PSMN8R9-100BSEJ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Nexperia | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10mOhm @ 25A, 1V | |
| 電力消費（最大） | 296W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9488 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Ta) | |
| 基本製品番号 | PSMN8R9 |
右側の三つのパーツはNexperia USA Inc. PSMN8R9-100BSEJと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | PSMN8R9-100BSEJ | PSMN8R5-100ES | PSMN9R5-30YLC,115 | PSMN9R5-100PS,127 |
| メーカー | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | NXP USA Inc. | Nexperia USA Inc. |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | - | 30 V | 100 V |
| FETタイプ | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | - | 4.5V, 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9488 pF @ 50 V | - | 681 pF @ 15 V | 4454 pF @ 50 V |
| 基本製品番号 | PSMN8R9 | PSMN8R5 | - | PSMN9R5 |
| シリーズ | - | * | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - | SC-100, SOT-669 | TO-220-3 |
| 装着タイプ | Surface Mount | - | Surface Mount | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | - | LFPAK56, Power-SO8 | TO-220AB |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 160 nC @ 10 V | - | 10.4 nC @ 10 V | 82 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 296W (Ta) | - | 34W (Tc) | 211W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Ta) | - | 44A (Tc) | 89A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | - | 1.95V @ 1mA | 4V @ 1mA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10mOhm @ 25A, 1V | - | 9.8mOhm @ 15A, 10V | 9.6mOhm @ 15A, 10V |
PSMN8R9-100BSEJ - Nexperia USA Inc.のPSMN8R9-100BSEJ PDFデータテーブルとNexperia USA Inc.ドキュメントをダウンロード
PSMN8R5-100ESNexperia USA Inc.POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
PSMN9R5-100PS,127NXP USA Inc.MOSFET N-CH 100V TO220ABPSMN9R5-30YLCFreescale / NXP SemiconductorsPSMN9R5-30YLC,115NXP USA Inc.NEXPERIA PSMN9R5-30YLC - 44A, 30PSMN9R8-30MLCFreescale / NXP SemiconductorsPSMN8R5-100XSFreescale / NXP SemiconductorsPSMN8R5-60YSNexperiaPSMN9R5-100PSFreescale / NXP SemiconductorsPSMN9R1-30YLFreescale / NXP SemiconductorsPSMN8R5-100PSFreescale / NXP SemiconductorsPSMN8R5-100PSFFreescale / NXP SemiconductorsPSMN8R3-40YSNexperiaPSMN9R5-100PS,127Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 100V 89A TO220AB
PSMN9R0-30YL115LFPAKPSMN8R2-80YSNexperiaPSMN8R7-100YSFXNexperia USA Inc.PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAKPSMN8R2-80Freescale / NXP SemiconductorsPSMN9R5-30YLC,115Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 44A LFPAK56| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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