PSMN1R0-40YSHXの技術仕様
Nexperia USA Inc. - PSMN1R0-40YSHX技術仕様、属性、パラメーター、およびNexperia USA Inc. - PSMN1R0-40YSHX仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Nexperia | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.6V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | LFPAK56; Power-SO8 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1mOhm @ 25A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 333W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-1023, 4-LFPAK | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9433 pF @ 20 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 122 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | Schottky Diode (Body) | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 290A (Ta) | |
| 基本製品番号 | PSMN1R0 |
右側の三つのパーツはNexperia USA Inc. PSMN1R0-40YSHXと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | PSMN1R0-40YSHX | PSMN1R0-40SSHJ | PSMN1R0-30YLDX | PSMN1R0-40YLDX |
| メーカー | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. |
| サプライヤデバイスパッケージ | LFPAK56; Power-SO8 | LFPAK88 (SOT1235) | LFPAK56, Power-SO8 | LFPAK56, Power-SO8 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1mOhm @ 25A, 10V | 1mOhm @ 25A, 10V | 1.02mOhm @ 25A, 10V | 1.1mOhm @ 25A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | SOT-1023, 4-LFPAK | SOT-1235 | SC-100, SOT-669 | SC-100, SOT-669 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | Schottky Diode (Body) | Schottky Diode (Body) | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.6V @ 1mA | 3.6V @ 1mA | 2.2V @ 2mA | 2.2V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 122 nC @ 10 V | 137 nC @ 10 V | 121.35 nC @ 10 V | 127 nC @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 290A (Ta) | 325A (Ta) | 100A (Tc) | 280A (Ta) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 40 V | 30 V | 40 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9433 pF @ 20 V | 10322 pF @ 25 V | 8598 pF @ 15 V | 8845 pF @ 20 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 基本製品番号 | PSMN1R0 | PSMN1R0 | PSMN1R0 | PSMN1R0 |
| 電力消費（最大） | 333W (Ta) | 375W (Ta) | 238W (Tc) | 198W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
PSMN1R0-40YSHX - Nexperia USA Inc.のPSMN1R0-40YSHX PDFデータテーブルとNexperia USA Inc.ドキュメントをダウンロード
PSMN1R2-25YLCFreescale / NXP SemiconductorsPSMN1R0-30YLDNexperiaPSMN1R0-30YLCFreescale / NXP SemiconductorsPSMN1R0-40SSHJNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88PSMN1R1-25YLC115Freescale / NXP SemiconductorsPSMN1R0-30YLDXNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56PSMN1R0-40YLDNexperiaPSMN1R0-40YLDXNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56PSMN1R0-30YLC+115Freescale / NXP SemiconductorsPSMN1R0-30YLC115NexperiaPSMN1R0-30YLD115PSMN1R2-25YL115NexperiaPSMN1R1-40BSFreescale / NXP SemiconductorsPSMN1R2-25YLNexperiaPSMN1R1-25YLCFreescale / NXP SemiconductorsPSMN1R2-30YLCFreescale / NXP SemiconductorsPSMN1R0-30YLC,115Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56PSMN1R1-30PLVBSEMI| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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