PMDXB600UNEZの技術仕様
Nexperia USA Inc. - PMDXB600UNEZ技術仕様、属性、パラメーター、およびNexperia USA Inc. - PMDXB600UNEZ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Nexperia | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 950mV @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DFN1010B-6 | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 620mOhm @ 600mA, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 265mW | |
| パッケージ/ケース | 6-XFDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 21.3pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.7nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 600mA | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | PMDXB600 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはNexperia USA Inc. PMDXB600UNEZと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | PMDXB600UNEZ | PMDPB80XP,115 | PMDPB80XP,115 | PMDXB550UNEZ |
| メーカー | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | NXP USA Inc. | Nexperia USA Inc. |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | TrenchFET® | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.7nC @ 4.5V | 8.6nC @ 4.5V | 8.6nC @ 4.5V | 1.05nC @ 4.5V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 600mA | 2.7A | 2.7A | 590mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 21.3pF @ 10V | 550pF @ 10V | 550pF @ 10V | 30.3pF @ 15V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 950mV @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 950mV @ 250µA |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 1.8V Drive | Logic Level Gate, 1.8V Drive | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | DFN1010B-6 | 6-HUSON (2x2) | 6-HUSON (2x2) | DFN1010B-6 |
| パッケージ/ケース | 6-XFDFN Exposed Pad | 6-UFDFN Exposed Pad | 6-UFDFN Exposed Pad | 6-XFDFN Exposed Pad |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 620mOhm @ 600mA, 4.5V | 102mOhm @ 2.7A, 4.5V | 102mOhm @ 2.7A, 4.5V | 670mOhm @ 590mA, 4.5V |
| 基本製品番号 | PMDXB600 | PMDPB80 | PMDPB80 | PMDXB550 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | 20V | 30V |
| 電力 - 最大 | 265mW | 485mW | 485mW | 285mW |
PMDXB600UNEZ - Nexperia USA Inc.のPMDXB600UNEZ PDFデータテーブルとNexperia USA Inc.ドキュメントをダウンロード
PMDPB80XP,115Nexperia USA Inc.MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6HUSONPMDXB600UNELNexperiaPMDT670UPE115NexperiaPMDPB80XP,115NXP USA Inc.NOW NEXPERIA PMDPB80XP - SMALL SPMDPB95XNE.115NexperiaPMDT290UNENexperiaPMDXB600UNE2NFreescale / NXP SemiconductorsPMDT290UNE115NXP SemiconductorsPMDXB550UNEZNexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFNPMDPB70XPE115NXP SemiconductorsPMDXB600UNE.R7GFreescale / NXP SemiconductorsPMDT670UPEFreescale / NXP Semiconductors
PMDT290UNE,115Nexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
PMDXB950UPENexperia USA Inc.MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFNPMDXB600UNEFreescale / NXP SemiconductorsPMDPB80XPNexperiaPMDXB550UNEFreescale / NXP SemiconductorsPMDT290UCEFreescale / NXP Semiconductors| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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