PMDPB58UPE,115の技術仕様
Nexperia USA Inc. - PMDPB58UPE,115技術仕様、属性、パラメーター、およびNexperia USA Inc. - PMDPB58UPE,115仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Nexperia | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 950mV @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-HUSON (2x2) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 67mOhm @ 2A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 515mW | |
| パッケージ/ケース | 6-UFDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 804pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.5nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.6A | |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | PMDPB58 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはNexperia USA Inc. PMDPB58UPE,115と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | PMDPB58UPE,115 | PMDPB56XN,115 | PMDPB42UN,115 | PMDPB65UP,115 |
| メーカー | Nexperia USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | PMDPB58 | PMDPB56 | PMDPB | PMDPB |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 804pF @ 10V | 170pF @ 15V | 185pF @ 10V | 380pF @ 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 67mOhm @ 2A, 4.5V | 73mOhm @ 3.1A, 4.5V | 50mOhm @ 3.9A, 4.5V | 70mOhm @ 1A, 4.5V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 950mV @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 電力 - 最大 | 515mW | 510mW | 510mW | 520mW |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.5nC @ 4.5V | 2.9nC @ 4.5V | 3.5nC @ 4.5V | 6nC @ 4.5V |
| パッケージ/ケース | 6-UFDFN Exposed Pad | 6-UDFN Exposed Pad | 6-UDFN Exposed Pad | 6-UDFN Exposed Pad |
| シリーズ | - | - | - | - |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.6A | 3.1A | 3.9A | 3.5A |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-HUSON (2x2) | 6-HUSON (2x2) | 6-HUSON (2x2) | 6-HUSON (2x2) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 30V | 20V | 20V |
PMDPB58UPE,115 - Nexperia USA Inc.のPMDPB58UPE,115 PDFデータテーブルとNexperia USA Inc.ドキュメントをダウンロード
PMDPB58UPE MOSNexperiaPMDPB70ENNexperiaPMDPB56XN,115NXP USA Inc.MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6PMDPB42UN,115NXP USA Inc.MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6PMDPB65UP,115NXP USA Inc.MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118
PMDPB70EN,115NXP USA Inc.PMDPB70EN - SMALL SIGNAL, HUSON6PMDPB70EN,115Nexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFNPMDPB70XPENXP SemiconductorsPMDPB56XNEAXNXP SemiconductorsPMDPB58UPEFreescale / NXP SemiconductorsPMDPB70XP,115NexperiaPMDPB56XNNexperiaPMDPB56XNEANexperiaPMDPB55XPNexperiaPMDPB42UNNexperiaPMDPB65UPFreescale / NXP Semiconductors
PMDPB70XPNEXPPMDPB70XP+115Freescale / NXP Semiconductors| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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