画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
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IRF350 - NTE Electronics, Inc
- メーカー 部品型番
- IRF350
- Allelco 部品型番
- 32D-IRF350
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 400V 14A TO3
- パッケージ
- TO-204AA, TO-3
- データシート
- IRF350.pdf
- 認定
- 在庫あり: 2324
IRF350の技術仕様
NTE Electronics, Inc - IRF350技術仕様、属性、パラメーター、およびNTE Electronics, Inc - IRF350仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | NTE Electronics, Inc. | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 14A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-204AA, TO-3 | |
| パッケージ | Bag |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2600 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはNTE Electronics, Inc IRF350と同様の仕様
| 製品属性 | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF350 | IRF3515S | IRF3415S | IRF3515STRLPBF |
| メーカー | NTE Electronics, Inc | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 14A, 10V | 45mOhm @ 25A, 10V | 42mOhm @ 22A, 10V | 45mOhm @ 25A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | TO-204AA, TO-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| シリーズ | - | HEXFET® | HEXFET® | - |
| パッケージ | Bag | Tube | Tube | Cut Tape (CT) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | 107 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V | 107 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±20V | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2600 pF @ 25 V | 2260 pF @ 25 V | 2400 pF @ 25 V | 2260 pF @ 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Tc) | 41A (Tc) | 43A (Tc) | 41A (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400 V | 150 V | 150 V | 150 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3 | D2PAK | D2PAK | D2PAK |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) | 200W (Tc) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | - |
IRF350 - NTE Electronics, IncのIRF350 PDFデータテーブルとNTE Electronics, Incドキュメントをダウンロード
IRF350RIRF3515SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 41A D2PAKIRF3415S MOSIRIRF3415SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 43A D2PAKIRF3515STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
IRF3415PBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF3415SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
IRF3415PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
IRF3500QualcommIRF3416IRIRF3502AMTRPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF3515LPBFIRIRF3515SPBFIRIRF342IRF3515S MOSIRIRF3504SIRIRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 43A D2PAKIRF3415STRPBFIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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