1N5227Bの技術仕様
NTE Electronics, Inc - 1N5227B技術仕様、属性、パラメーター、およびNTE Electronics, Inc - 1N5227B仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | NTE Electronics, Inc. | |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 3.6 V | |
公差 | ±5% | |
サプライヤデバイスパッケージ | - | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 500 mW |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | |
パッケージ | Bag | |
運転温度 | -65°C ~ 200°C | |
装着タイプ | Through Hole | |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 24 Ohms | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 15 µA @ 1 V |
右側の三つのパーツはNTE Electronics, Inc 1N5227Bと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | 1N5227B | 1N5227B | 1N5226B | 1N5226B |
メーカー | NTE Electronics, Inc | SMC Diode Solutions | onsemi | Fairchild Semiconductor |
パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | - |
公差 | ±5% | ±5% | ±5% | - |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 3.6 V | 3.6 V | 3.3 V | - |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 24 Ohms | 24 Ohms | 28 Ohms | - |
運転温度 | -65°C ~ 200°C | 200°C | -65°C ~ 200°C | - |
サプライヤデバイスパッケージ | - | DO-35 | DO-35 | - |
パッケージ | Bag | Tape & Box (TB) | Bulk | Bulk |
電力 - 最大 | 500 mW | 500 mW | 500 mW | - |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 15 µA @ 1 V | 15 µA @ 950 mV | 25 µA @ 1 V | - |
シリーズ | - | - | - | * |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
1N5227B - NTE Electronics, Incの1N5227B PDFデータテーブルとNTE Electronics, Incドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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