1N4446の技術仕様
NTE Electronics, Inc - 1N4446技術仕様、属性、パラメーター、およびNTE Electronics, Inc - 1N4446仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | NTE Electronics, Inc. | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 20 mA | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 100 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 | |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 4 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| パッケージ | Bag | |
| 動作温度 - ジャンクション | 175°C (Max) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 25 nA @ 20 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 200mA | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 4pF @ 0V, 1MHz |
右側の三つのパーツはNTE Electronics, Inc 1N4446と同様の仕様
| 製品属性 | |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 1N4446 | 1N4249 | 1N4448 | 1N4448 |
| メーカー | NTE Electronics, Inc | NTE Electronics, Inc | onsemi | Microchip Technology |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| 逆回復時間（trrの） | 4 ns | 2 µs | 4 ns | 4 ns |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 25 nA @ 20 V | 1 µA @ 1000 V | 5 µA @ 75 V | 25 nA @ 20 V |
| パッケージ | Bag | Bag | Bulk | Bulk |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 20 mA | 1.2 V @ 1 A | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 動作温度 - ジャンクション | 175°C (Max) | - | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 | Axial | DO-35 | DO-35 |
| パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 200mA | 1A | 200mA | 200mA |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 100 V | 1000 V | 100 V | 75 V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| Vrと、F @キャパシタンス | 4pF @ 0V, 1MHz | - | 2pF @ 0V, 1MHz | - |
1N4446 - NTE Electronics, Incの1N4446 PDFデータテーブルとNTE Electronics, Incドキュメントをダウンロード
1N4437FTMicrochip TechnologySINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER1N4437FSMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4436FTMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4249NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL1N4448onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4438FTMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4446TRonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N4446Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N4249Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL1N4438FSMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4446Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4448Fairchild SemiconductorHIGH CONDUCTANCE FAST DIODE1N4436FSMicrochip TechnologySINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER1N4448Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4446onsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N4448Taiwan Semiconductor CorporationDO-35, 100V, 0.15A, SWITCHING DI1N4448NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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