APT8018JNの技術仕様
Microsemi Corporation - APT8018JN技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrosemi Corporation - APT8018JN仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 5mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | |
| シリーズ | POWER MOS IV® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 690W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tray |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 700 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) |
右側の三つのパーツはMicrosemi Corporation APT8018JNと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT8018JN | APT8015JVFR | APT8020LLLG | APT8014L2FLLG |
| メーカー | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | ISOTOP® | TO-264 [L] | 264 MAX™ [L2] |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±30V | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) | 44A (Tc) | 38A (Tc) | 52A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | 800 V | 800 V | 800 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 690W (Tc) | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 20A, 10V | 150mOhm @ 500mA, 10V | 200mOhm @ 19A, 10V | 160mOhm @ 26A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 5mA | 4V @ 5mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 5mA |
| パッケージ | Tray | Tube | Tube | Tube |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 700 nC @ 10 V | 285 nC @ 10 V | 195 nC @ 10 V | 285 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14000 pF @ 25 V | 17650 pF @ 25 V | 5200 pF @ 25 V | 7238 pF @ 25 V |
| シリーズ | POWER MOS IV® | POWER MOS V® | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® |
APT8018JN - Microsemi CorporationのAPT8018JN PDFデータテーブルとMicrosemi Corporationドキュメントをダウンロード
APT8015JVFRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP
APT8014JFLLAPTIGBT ModuleAPT8011JLLXAPTIGBT ModuleAPT8020LLLGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 38A TO264APT8014L2FLLGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 52A 264 MAXAPT8014JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 42A ISOTOPAPT8014L2FLLAPTAPT8015JVRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP
APT8015JNMicrosemiIGBT ModuleAPT8011JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 51A ISOTOPAPT801R2BNAPTAPT8020JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 33A ISOTOPAPT8020LLLAPTAPT8020JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 33A ISOTOPAPT8018JNFRXMicrosemiIGBT ModuleAPT8018JVRMicrosemiIGBT ModuleAPT8020APTIGBT ModuleAPT8011JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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