画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
APT6M100K - Microsemi Corporation
- メーカー 部品型番
- APT6M100K
- メーカー
- Microsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-APT6M100K
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 1000V 6A TO220
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3
- 在庫あり: 4990
APT6M100Kの技術仕様
Microsemi Corporation - APT6M100K技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrosemi Corporation - APT6M100K仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 [K] | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.5Ohm @ 3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 225W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1410 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 43 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) |
右側の三つのパーツはMicrosemi Corporation APT6M100Kと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT6M100K | APT70SM70S | APT66M60B2 | APT75F50B2 |
| メーカー | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 43 nC @ 10 V | 125 nC @ 20 V | 330 nC @ 10 V | 290 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1410 pF @ 25 V | - | 13190 pF @ 25 V | 11600 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.5Ohm @ 3A, 10V | 70mOhm @ 32.5A, 20V | 100mOhm @ 33A, 10V | 75mOhm @ 37A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 [K] | D3Pak | T-MAX™ [B2] | T-MAX™ [B2] |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | - | - | - | POWER MOS 8™ |
| Vgs（最大） | ±30V | +25V, -10V | ±30V | ±30V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 225W (Tc) | 220W (Tc) | 1135W (Tc) | 1040W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 20V | 10V | 10V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-247-3 Variant | TO-247-3 Variant |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | SiCFET (Silicon Carbide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) | 65A (Tc) | 70A (Tc) | 75A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 700 V | 600 V | 500 V |
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APT70SM70SMicrosemi CorporationSICFET N-CH 700V 65A D3PAK
APT60TG60JRDMicrosemiIGBT ModuleAPT75GF120JDF3MicrosemiIGBT ModuleAPT66M60B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 70A T-MAXAPT65GP60B2GMicrochip TechnologyIGBT 600V 100A 833W TMAXAPT75F50B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 500V 75A T-MAXAPT70SM70BMicrosemi CorporationSICFET N-CH 700V 65A TO247
APT65GP60JDQ2Microchip TechnologyIGBT 600V 130A 431W SOT227APT75DQ120BGMicrochip TechnologyDIODE GP 1.2KV 75A TO247APT75DQ60BGMicrochip TechnologyDIODE GP 600V 75A TO247APT65GP60JDF2MicrosemiIGBT ModuleAPT66M60LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 70A TO264
APT60S20SAPTAPT75GN120B2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 200A 833W TMAX
APT75DL120HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.2KV 75A SOT227APT65GP60JMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOPAPT75DF170HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.7KV 75A SOT227APT75DQ100BMicrosemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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