APT5025BNの技術仕様
Microsemi Corporation - APT5025BN技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrosemi Corporation - APT5025BN仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AD | |
| シリーズ | POWER MOS IV® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 250mOhm @ 11.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 310W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2950 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrosemi Corporation APT5025BNと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT5025BN | APT50DF170HJ | APT502J | APT5022BN |
| メーカー | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microsemi | APT |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AD | SOT-227 (ISOTOP®) | - | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Chassis Mount | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2950 pF @ 25 V | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±30V | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A (Tc) | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Bulk | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 130 nC @ 10 V | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 250mOhm @ 11.5A, 10V | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | - | - | - |
| シリーズ | POWER MOS IV® | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 310W (Tc) | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | Standard | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | - | - | - |
APT5025BN - Microsemi CorporationのAPT5025BN PDFデータテーブルとMicrosemi Corporationドキュメントをダウンロード
APT50DF170HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.7KV 50A SOT227APT502JMicrosemiIGBT ModuleAPT5022BNAPTAPT50GF100BNAPTIGBT ModuleAPT5025BVRAPTAPT5025BNRAPTIGBT ModuleAPT5028BVRAPTIGBT ModuleAPT50GF120JRDMicrochip TechnologyIGBT NPT COMBI 1200V 50A ISOTOPAPT5022JNMicrosemiIGBT ModuleAPT5020HJNAPTIGBT ModuleAPT5030AVRAPTAPT5025ANAPTAPT50GF120JRDQ3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 120A 521W ISOTOPAPT5023BNAPTAPT5024BVFRAPTIGBT ModuleAPT5024SVRAPTAPT5022BNRAPTIGBT ModuleAPT5024BFLLAPT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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