APT4012BVRの技術仕様
Microsemi Corporation - APT4012BVR技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrosemi Corporation - APT4012BVR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AD | |
| シリーズ | POWER MOS V® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 120mOhm @ 18.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 370W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5400 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 290 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 37A (Tc) |
右側の三つのパーツはMicrosemi Corporation APT4012BVRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT4012BVR | APT38F80L | APT39M60J | APT38N60BC6 |
| メーカー | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-264-3, TO-264AA | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole |
| 電力消費（最大） | 370W (Tc) | 1040W (Tc) | 480W (Tc) | 278W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 290 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 280 nC @ 10 V | 112 nC @ 10 V |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AD | TO-264 [L] | ISOTOP® | TO-247 [B] |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA | 3.5V @ 1.2mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | POWER MOS V® | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ | CoolMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 120mOhm @ 18.5A, 10V | 240mOhm @ 20A, 10V | 110mOhm @ 28A, 10V | 99mOhm @ 18A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400 V | 800 V | 600 V | 600 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5400 pF @ 25 V | 8070 pF @ 25 V | 11300 pF @ 25 V | 2826 pF @ 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 37A (Tc) | 41A (Tc) | 42A (Tc) | 38A (Tc) |
APT4012BVR - Microsemi CorporationのAPT4012BVR PDFデータテーブルとMicrosemi Corporationドキュメントをダウンロード
APT38F80LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 41A TO264APT40G100ANAPTAPT39M60JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 42A ISOTOPAPT38N60BC6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 38A TO247APT37M100B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 37A T-MAXAPT40DR160HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.6KV 40A SOT227APT38M50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 38A ISOTOPAPT4080ANAPTAPT40DQ60BGMicrochip TechnologyDIODE GP 600V 40A TO247APT40DQ120BAPT
APT40GF120JRDMicrochip TechnologyIGBT NPT COMBI 1200V 40A ISOTOPAPT40DC120HJMicrosemi CorporationBRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A SOT227APT38F80B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 800V 41A T-MAXAPT40DQ60BCTGMicrochip TechnologyDIODE ARRAY GP 600V 40A TO247APT40DQ100BGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 40A TO247APT38F50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 38A ISOTOPAPT40DQ120BGMicrochip TechnologyDIODE GP 1.2KV 40A TO247APT37M100LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 37A TO264| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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