APT12067JLLの技術仕様
Microsemi Corporation - APT12067JLL技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrosemi Corporation - APT12067JLL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 | |
| シリーズ | POWER MOS 7® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 570mOhm @ 10A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 460W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6200 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 290 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT12067 |
右側の三つのパーツはMicrosemi Corporation APT12067JLLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT12067JLL | APT12057JLL | APT12080JVFR | APT12080JVR |
| メーカー | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microsemi Corporation |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | - | ±30V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 | SOT-227 | ISOTOP® | ISOTOP® |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tube | Bulk |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| 基本製品番号 | APT12067 | APT12057 | APT12080 | - |
| 電力消費（最大） | 460W (Tc) | 520W (Tc) | - | 450W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6200 pF @ 25 V | 6200 pF @ 25 V | 7800 pF @ 25 V | 7800 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 570mOhm @ 10A, 10V | 570mOhm @ 10A, 10V | 800mOhm @ 7.5A, 10V | 800mOhm @ 7.5A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | - | 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 290 nC @ 10 V | 290 nC @ 10 V | 485 nC @ 10 V | 485 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| シリーズ | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS V® | POWER MOS V® |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17A (Tc) | 19A (Tc) | 15A (Tc) | 15A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
APT12067JLL - Microsemi CorporationのAPT12067JLL PDFデータテーブルとMicrosemi Corporationドキュメントをダウンロード
APT1211WAYPanasonic Electric WorksOPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIPAPT1211AXPanasonic Electric WorksOPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
APT12057JLLXAPTIGBT ModuleAPT12057JLLMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 1200V 19A SOT227APT1211APanasonic Electric WorksOPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4SMD
APT1211SPanasonic Electric WorksOPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOPAPT12060B2VRAPTIGBT ModuleAPT12040L2FLLGAPTAPT12080JVFRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOPAPT12080JVRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP
APT12040JVRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 26A SOT227
APT12067JFLLMicrosemiIGBT ModuleAPT1204R7KLLGAPT
APT1211Panasonic Electric WorksOPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP
APT1211W-RPanasonicAPT1211SXPanasonic Electric WorksOPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOPAPT12057JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 19A ISOTOPAPT1211SZPanasonic Electric WorksOPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4SOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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