2N6796の技術仕様
Microsemi Corporation - 2N6796技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrosemi Corporation - 2N6796仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-39 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 800mW (Ta), 25W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-205AF Metal Can |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.34 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrosemi Corporation 2N6796と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 2N6796 | 2N6798 | 2N6804 | 2N6786 |
| メーカー | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Harris Corporation |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 800mW (Ta), 25W (Tc) | 800mW (Ta), 25W (Tc) | 4W (Ta), 75W (Tc) | 15W (Tc) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.34 nC @ 10 V | 5.29 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250mA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) | 5.5A (Tc) | 11A (Tc) | 1.25A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 200 V | 100 V | 400 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 5A, 10V | 400mOhm @ 3.5A, 10V | 360mOhm @ 11A, 10V | 3.7Ohm @ 1.25A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-39 | TO-39 | TO-204AA (TO-3) | TO-205AF (TO-39) |
| パッケージ/ケース | TO-205AF Metal Can | TO-205AF Metal Can | TO-204AA, TO-3 | TO-205AF Metal Can |
2N6796 - Microsemi Corporationの2N6796 PDFデータテーブルとMicrosemi Corporationドキュメントをダウンロード
2N6788CDBNSILICONIX
2N681Central Semiconductor CorpSCR 25V 25A TO482N6798Microsemi CorporationMOSFET N-CH 200V 5.5A TO392N6796UJANTXIR
2N6769AMI Semiconductor/onsemi
2N681ASolid State Inc.TO 48 25 AMP SCR2N6804Microsemi CorporationMOSFET P-CH 100V 11A TO204AA2N6794IR2N6786UIR2N6786Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET2N6788Microsemi CorporationMOSFET N-CH 100V 6A TO392N6788JANTXIR2N681ACentral Semiconductor CorpSCR 25V 25A TO482N681Solid State Inc.TO 48 25 AMP SCR2N6782Microsemi CorporationMOSFET N-CH 100V 3.5A TO392N6796UMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC2N6800Microsemi CorporationMOSFET N-CH 400V 3A TO392N6784Microsemi CorporationMOSFET N-CH 200V 2.25A TO39| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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