NAND02GW3B2DN6Eの技術仕様
Micron Technology Inc. - NAND02GW3B2DN6E技術仕様、属性、パラメーター、およびMicron Technology Inc. - NAND02GW3B2DN6E仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Micron Technology | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 25ns | |
| 電源電圧 - | 2.7V ~ 3.6V | |
| 技術 | FLASH - NAND | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 48-TSOP | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | |
| パッケージ | Tray | |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| メモリタイプ | Non-Volatile | |
| 記憶容量 | 2Gbit | |
| メモリ組織 | 256M x 8 | |
| メモリインタフェース | Parallel | |
| メモリ形式 | FLASH | |
| 基本製品番号 | NAND02G | |
| アクセス時間 | 25 ns |
右側の三つのパーツはMicron Technology Inc. NAND02GW3B2DN6Eと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NAND02GW3B2DN6E | NAND02GW3B2DZA6E | NAND04GW3C2BN6E | NAND01GW3B2CZA6E |
| メーカー | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| メモリタイプ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| 技術 | FLASH - NAND | FLASH - NAND | FLASH - NAND | FLASH - NAND |
| サプライヤデバイスパッケージ | 48-TSOP | 63-VFBGA (9.5x12) | 48-TSOP | 63-VFBGA (9.5x12) |
| メモリ形式 | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| パッケージ/ケース | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 63-TFBGA | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | 63-TFBGA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 25ns | 25ns | 25ns | 25ns |
| アクセス時間 | 25 ns | 25 ns | 25 ns | 25 ns |
| パッケージ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| メモリ組織 | 256M x 8 | 256M x 8 | 512M x 8 | 128M x 8 |
| 電源電圧 - | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| メモリインタフェース | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| 基本製品番号 | NAND02G | NAND02G | NAND04G | NAND01 |
| 記憶容量 | 2Gbit | 2Gbit | 4Gbit | 1Gbit |
NAND02GW3B2DN6E - Micron Technology Inc.のNAND02GW3B2DN6E PDFデータテーブルとMicron Technology Inc.ドキュメントをダウンロード
NAND02GW3B2DZA6FNUMONYX MEM
NAND02GW382DN6STMicroelectronicsNAND02GW3B2DN6STMicroelectronicsNAND02GR3B2DZA6STMicroelectronicsNAND02GW3B2DZA6EMicron Technology Inc.IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGANAND04GW3C2BN6EMicron Technology Inc.IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOPNAND02GW3B2DNBSTMicroelectronicsNAND02GW3B2DZA6STMicroelectronicsNAND04GW3B2DN6STMicroelectronicsNAND01GW3B2CZA6EMicron Technology Inc.IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGANAND02GR3B2CZA6ESTMicroelectronicsNAND02GW382DZA6NANYA
NAND02GR3B2DZA6EMicron Technology Inc.IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGANAND04GW3B2DN6EMicron Technology Inc.IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOPNAND02GR3B2DZA6FNUMONYXNAND04GW3B2DN6FSTMicroelectronics
NAND08GAH0BZA5EMicron Technology Inc.IC FLSH 8GBIT MMC 52MHZ 169LFBGANAND04GW3B2BN6STMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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