MT53E1G32D4NQ-046 WT:Eの技術仕様
Micron Technology Inc. - MT53E1G32D4NQ-046 WT:E技術仕様、属性、パラメーター、およびMicron Technology Inc. - MT53E1G32D4NQ-046 WT:E仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Micron Technology | |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | |
電源電圧 - | 1.1V | |
技術 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | |
シリーズ | - | |
パッケージ | Box | |
運転温度 | -30°C ~ 85°C (TC) |
製品属性 | 属性値 | |
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メモリタイプ | Volatile | |
記憶容量 | 32Gbit | |
メモリ組織 | 1G x 32 | |
メモリインタフェース | - | |
メモリ形式 | DRAM | |
クロック周波数 | 2.133 GHz | |
基本製品番号 | MT53E1G32 |
右側の三つのパーツはMicron Technology Inc. MT53E1G32D4NQ-046 WT:Eと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | MT53E1G32D4NQ-046 WT:E | MT53E1G64D8NW-046 WT:E | MT53E256M16D1DS-046 WT:B | MT53E1G32D2FW-046 WT:A |
メーカー | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
記憶容量 | 32Gbit | 64Gbit | 4Gbit | 32Gbit |
基本製品番号 | MT53E1G32 | MT53E1G64 | MT53E256 | - |
シリーズ | - | - | - | - |
電源電圧 - | 1.1V | 1.1V | 1.1V | 1.06V ~ 1.17V |
メモリ形式 | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
技術 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
メモリインタフェース | - | - | - | Parallel |
メモリタイプ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
メモリ組織 | 1G x 32 | 1G x 64 | 256M x 16 | 1G x 32 |
クロック周波数 | 2.133 GHz | 2.133 GHz | 2.133 GHz | 2.133 GHz |
運転温度 | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -25°C ~ 85°C (TC) |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | - | - | 18ns |
パッケージ | Box | Box | Tray | Box |
MT53E1G32D4NQ-046 WT:E - Micron Technology Inc.のMT53E1G32D4NQ-046 WT:E PDFデータテーブルとMicron Technology Inc.ドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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