JR28F064M29EWBAの技術仕様
Micron Technology Inc. - JR28F064M29EWBA技術仕様、属性、パラメーター、およびMicron Technology Inc. - JR28F064M29EWBA仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Micron Technology | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 70ns | |
| 電源電圧 - | 2.7V ~ 3.6V | |
| 技術 | FLASH - NOR | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 48-TSOP I | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | |
| パッケージ | Tray | |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| メモリタイプ | Non-Volatile | |
| 記憶容量 | 64Mbit | |
| メモリ組織 | 8M x 8, 4M x 16 | |
| メモリインタフェース | Parallel | |
| メモリ形式 | FLASH | |
| 基本製品番号 | JR28F064M29 | |
| アクセス時間 | 70 ns |
右側の三つのパーツはMicron Technology Inc. JR28F064M29EWBAと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | JR28F064M29EWBA | CY7C199L-15ZC | CY62187EV30LL-55BAXI | CY7C188-35VC |
| メーカー | Micron Technology Inc. | Cypress Semiconductor Corp | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor Corp |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 記憶容量 | 64Mbit | 256Kbit | 64Mbit | 288Kbit |
| 電源電圧 - | 2.7V ~ 3.6V | 4.5V ~ 5.5V | 2.2V ~ 3.7V | 4.5V ~ 5.5V |
| 基本製品番号 | JR28F064M29 | CY7C199 | CY62187 | CY7C188 |
| 技術 | FLASH - NOR | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| メモリ組織 | 8M x 8, 4M x 16 | 32K x 8 | 4M x 16 | 32K x 9 |
| パッケージ/ケース | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) | 48-LFBGA | 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
| メモリ形式 | FLASH | SRAM | SRAM | SRAM |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 70ns | 15ns | 55ns | 35ns |
| パッケージ | Tray | Bulk | Tray | Bulk |
| アクセス時間 | 70 ns | 15 ns | 55 ns | 35 ns |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 48-TSOP I | 28-TSOP I | 48-FBGA (8x9.5) | 32-SOJ |
| メモリインタフェース | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| シリーズ | - | - | MoBL® | - |
| メモリタイプ | Non-Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
JR28F064M29EWBA - Micron Technology Inc.のJR28F064M29EWBA PDFデータテーブルとMicron Technology Inc.ドキュメントをダウンロード
JR28F064M29EWBMICROMCY7C199L-15ZCCypress Semiconductor CorpIC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP ICY62187EV30LL-55BAXIInfineon TechnologiesIC SRAM 64MBIT PARALLEL 48FBGACY7C188-35VCCypress Semiconductor CorpIC SRAM 288KBIT PARALLEL 32SOJ
AT45DB021E-SHNHA-TAdesto TechnologiesIC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8SOIC
M95040-RMN6TPSTMicroelectronicsIC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
JR28F032M29EWLAMicron Technology Inc.IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP I
CAT24C21WI-GT3onsemiIC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOICJR28F064M29EWHAMicron Technology Inc.IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I
JR28F064M29EWHIntelJR28F064M29EWTIntel
JR25WCC-10(71)Hirose Electric Co LtdCONN CABLE CLAMP SZ25 BLACK M28JR28F064M29EWTAMicron Technology Inc.IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I
S29GL032N90FFI030Infineon TechnologiesIC FLASH 32MBIT PARALLEL 64FBGAJR223BJRJR28F064M29EWLIntel
NM24C16M8XFairchild SemiconductorIC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC
AT24HC04BN-SH-TMicrochip TechnologyIC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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