EDY4016AABG-DR-F-Dの技術仕様
Micron Technology Inc. - EDY4016AABG-DR-F-D技術仕様、属性、パラメーター、およびMicron Technology Inc. - EDY4016AABG-DR-F-D仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Micron Technology | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | |
| 電源電圧 - | 1.14V ~ 1.26V | |
| 技術 | SDRAM - DDR4 | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 96-FBGA (7.5x13.5) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 96-TFBGA | |
| パッケージ | Tray | |
| 運転温度 | 0°C ~ 95°C (TC) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| メモリタイプ | Volatile | |
| 記憶容量 | 4Gbit | |
| メモリ組織 | 256M x 16 | |
| メモリインタフェース | Parallel | |
| メモリ形式 | DRAM | |
| クロック周波数 | 1.2 GHz | |
| 基本製品番号 | EDY4016 |
右側の三つのパーツはMicron Technology Inc. EDY4016AABG-DR-F-Dと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | EDY4016AABG-DR-F-D | MX25L6455EXCI-10G | DS1258Y-70 | JS28F512P30EFA |
| メーカー | Micron Technology Inc. | Macronix | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Micron Technology Inc. |
| 電源電圧 - | 1.14V ~ 1.26V | 2.7V ~ 3.6V | 4.5V ~ 5.5V | 1.7V ~ 2V |
| メモリ組織 | 256M x 16 | 8M x 8 | 128K x 16 | 32M x 16 |
| サプライヤデバイスパッケージ | 96-FBGA (7.5x13.5) | 24-CSPBGA (6x8) | 40-EDIP | 56-TSOP |
| メモリ形式 | DRAM | FLASH | NVSRAM | FLASH |
| パッケージ/ケース | 96-TFBGA | 24-TBGA | 40-DIP Module (0.610', 15.495mm) | 56-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) |
| メモリインタフェース | Parallel | SPI | Parallel | Parallel |
| 記憶容量 | 4Gbit | 64Mbit | 2Mbit | 512Mbit |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | 300µs, 5ms | 70ns | 110ns |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| シリーズ | - | MXSMIO™ | - | Axcell™ |
| 運転温度 | 0°C ~ 95°C (TC) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| パッケージ | Tray | Tray | Tube | Tray |
| 基本製品番号 | EDY4016 | MX25L6455 | DS1258Y | JS28F512P30 |
| 技術 | SDRAM - DDR4 | FLASH - NOR | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | FLASH - NOR |
| クロック周波数 | 1.2 GHz | 104 MHz | - | 40 MHz |
| メモリタイプ | Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
EDY4016AABG-DR-F-D - Micron Technology Inc.のEDY4016AABG-DR-F-D PDFデータテーブルとMicron Technology Inc.ドキュメントをダウンロード
MX25L6455EXCI-10GMacronixIC FLASH 64MBIT SPI 24CSPBGADS1258Y-70Analog Devices Inc./Maxim IntegratedIC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIPJS28F512P30EFAMicron Technology Inc.IC FLASH 512MBIT PAR 56TSOP
AT25256B-XHL-BMicrochip TechnologyIC EEPROM 256KBIT SPI 8TSSOP
IDT71256SA12PZRenesas Electronics America IncIC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
MT40A512M8HX-083E:AMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
AT49LV321-90TIMicrochip TechnologyIC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
AT24C128C-SSHM-BMicrochip TechnologyIC EEPROM 128KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
W25Q40CLSNIGWinbond ElectronicsIC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOIC
IS46LR32160C-6BLA2ISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
M95128-DFMC6TGSTMicroelectronicsIC EEPROM 128KBIT SPI 8UFDFPN
EDY4016AABG-JD-FELPIDA
M93C86-MN6TSTMicroelectronicsIC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8SOIC
71V016SA12PHGRenesas Electronics America IncIC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP IIMX29GL256FHT2I-90QMacronixIC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
CY7C1320CV18-250BZXCInfineon TechnologiesIC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
EDY4016AABG-DR-F-RMicron TechnologyIDT71V416S10PHIRenesas Electronics America IncIC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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