VN2210N2の技術仕様
Microchip Technology - VN2210N2技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - VN2210N2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 10mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-39 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 350mOhm @ 4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 360mW (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | |
| パッケージ | Bag |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 500 pF @ 25 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.7A (Tj) | |
| 基本製品番号 | VN2210 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology VN2210N2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | VN2210N2 | VN2222LL | VN2210N3-G | VN2106N3-G |
| メーカー | Microchip Technology | onsemi | Microchip Technology | Microchip Technology |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 360mW (Tc) | 400mW (Ta) | 740mW (Tc) | 1W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 基本製品番号 | VN2210 | VN2222 | VN2210 | VN2106 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 10mA | 2.5V @ 1mA | 2.4V @ 10mA | 2.4V @ 1mA |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-39 | TO-92 (TO-226) | TO-92-3 | TO-92-3 |
| パッケージ | Bag | Tape & Box (TB) | Bag | Bag |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | 10V | 5V, 10V | 5V, 10V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 350mOhm @ 4A, 10V | 7.5Ohm @ 500mA, 10V | 350mOhm @ 4A, 10V | 4Ohm @ 500mA, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 60 V | 100 V | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.7A (Tj) | 150mA (Ta) | 1.2A (Tj) | 300mA (Tj) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 500 pF @ 25 V | 60 pF @ 25 V | 500 pF @ 25 V | 50 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
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VN21SPSTMicroelectronics
VN2222AAMI Semiconductor/onsemi
VN2110KSIVN2222LLonsemiMOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3VN20NSPSTMicroelectronicsVN2110K1SUPERTEX
VN2222LL-TR1Electro-Films (EFI) / VishayVN2210N3-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3VN2106N3-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3VN2222LL-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3VN20NSP#########STMicroelectronicsVN2210N3Electro-Films (EFI) / VishayVN2222LLGonsemiMOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3VN2206N3Electro-Films (EFI) / Vishay
VN2110K1-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3VN2204N3SUPERTEXVN2222LL-TR3Electro-Films (EFI) / VishayVN2222LElectro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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