JANTX1N5619の技術仕様
Microchip Technology - JANTX1N5619技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - JANTX1N5619仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.6 V @ 3 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | A, Axial | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/429 | |
| 逆回復時間（trrの） | 250 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | A, Axial | |
| パッケージ | Bulk | |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 500 nA @ 600 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | |
| 基本製品番号 | 1N5619 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology JANTX1N5619と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | JANTX1N5619 | JANTX1N5615 | JANTX1N5620US | JANTX1N5553US |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | 200 V | 800 V | 800 V |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| サプライヤデバイスパッケージ | A, Axial | A, Axial | D-5A | D-5B |
| 逆回復時間（trrの） | 250 ns | 150 ns | 2 µs | 2 µs |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | 45pF @ 12V, 1MHz | - | - |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.6 V @ 3 A | 1.6 V @ 3 A | 1.3 V @ 3 A | 1.3 V @ 9 A |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | 1A | 1A | 3A |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 基本製品番号 | 1N5619 | 1N5615 | 1N5620 | 1N5553 |
| シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/429 | Military, MIL-PRF-19500/429 | Military, MIL-PRF-19500/427 | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 500 nA @ 600 V | 500 nA @ 200 V | 500 nA @ 800 V | 1 µA @ 800 V |
| パッケージ/ケース | A, Axial | A, Axial | SQ-MELF, A | SQ-MELF, E |
JANTX1N5619 - Microchip TechnologyのJANTX1N5619 PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
JANTX1N5615Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A A-PAK
JANTX1N5636AMicrochip TechnologyTVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO13JANTX1N5620USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 1A D-5AJANTX1N5553USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 3A D-5B
JANTX1N5639AMicrochip TechnologyTVS DIODE 15.3VWM 25.2VC DO13JANTX1N5618USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A D-5A
JANTX1N5711UR-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AAJANTX1N5623USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A D-5AJANTX1N5640AMicrochip TechnologyTVS DIODE 17.1VWM 27.7VC DO13
JANTX1N5418Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 3A AXIALJANTX1N5551Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 5A AXIALJANTX1N5623Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIALJANTX1N5659AMicrochip TechnologyTVS DIODE 102VWM 165VC DO13JANTX1N5618Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIALJANTX1N5615USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A A SQ-MELF
JANTX1N5772Microchip TechnologyTVS DIODE 10CFLATPACKJANTX1N5552Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 5A AXIALJANTX1N5519B-1Microchip TechnologyDIODE ZENER 3.6V 500MW DO35| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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