DN3545N3-Gの技術仕様
Microchip Technology - DN3545N3-G技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - DN3545N3-G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92 (TO-226) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20Ohm @ 150mA, 0V | |
| 電力消費（最大） | 740mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| パッケージ | Bag |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 360 pF @ 25 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | Depletion Mode | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 0V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 450 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 136mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | DN3545 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology DN3545N3-Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DN3545N3-G | DN3135K1-G | STD11NM50N | DN3545N8-G |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | STMicroelectronics | Microchip Technology |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-243AA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20Ohm @ 150mA, 0V | 35Ohm @ 150mA, 0V | 470mOhm @ 4.5A, 10V | 20Ohm @ 150mA, 0V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | Depletion Mode | Depletion Mode | - | Depletion Mode |
| シリーズ | - | - | MDmesh™ II | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | DN3545 | DN3135 | STD11 | DN3545 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 0V | 0V | 10V | 0V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±25V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92 (TO-226) | SOT-23-3 | DPAK | TO-243AA (SOT-89) |
| 電力消費（最大） | 740mW (Ta) | 360mW (Ta) | 70W (Tc) | 1.6W (Ta) |
| パッケージ | Bag | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 360 pF @ 25 V | 120 pF @ 25 V | 547 pF @ 50 V | 360 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | - | 4V @ 250µA | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 136mA (Ta) | 72mA (Tj) | 8.5A (Tc) | 200mA (Ta) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 450 V | 350 V | 500 V | 450 V |
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DN3135N8MICROCHDN3135K1-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3STD11NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 8.5A DPAKDN3545N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 450V 200MA TO243AADN3545N8Micrel / Microchip TechnologyDN3012TRIGENCEDN3145N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
DN3694GFPRenesas Electronics CorporationDN3052TRIGENCEDN3325ADN3525N8SUPERTEXDN3525N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 250V 360MA TO243AADN3135N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 350V 135MA TO243AADN3765N3SUPERTEXDN3535N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
DN350T05-7-FDiodes Incorporated
DN350T05-7Diodes IncorporatedTRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3DN3765K4-GMicrochip| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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