DN2625K4-Gの技術仕様
Microchip Technology - DN2625K4-G技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - DN2625K4-G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.5Ohm @ 1A, 0V | |
| 電力消費（最大） | - | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.04 nC @ 1.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | Depletion Mode | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 0V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 250 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.1A (Tj) | |
| 基本製品番号 | DN2625 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology DN2625K4-Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DN2625K4-G | DN2540N5-G | DN2540N3-G | DN2535N5-G |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) | TO-220-3 | TO-92 (TO-226) | TO-220-3 |
| 基本製品番号 | DN2625 | DN2540 | DN2540 | DN2535 |
| FET特長 | Depletion Mode | Depletion Mode | Depletion Mode | Depletion Mode |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Bag | Tube |
| 電力消費（最大） | - | 15W (Tc) | 1W (Tc) | 15W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 0V | 0V | 0V | 0V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-3 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-220-3 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.1A (Tj) | 500mA (Tj) | 120mA (Tj) | 500mA (Tj) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.5Ohm @ 1A, 0V | 25Ohm @ 120mA, 0V | 25Ohm @ 120mA, 0V | 25Ohm @ 120mA, 0V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1000 pF @ 25 V | 300 pF @ 25 V | 300 pF @ 25 V | 300 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 250 V | 400 V | 400 V | 350 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.04 nC @ 1.5 V | - | - | - |
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DN2530N8SUPERTEXDN2470K4GSUPERTEXDN2540N5-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 400V 500MA TO220-3DN2510R2DUSTDN2535N5SUPERTEXDN2510DUSTDN2540N3-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 400V 120MA TO92DN2535N5-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3
DN2450N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 230MA TO243AADN2530N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 300V 200MA TO243AADN200FAUKDN2535N3SUPERTEXDN2530N3-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 300V 175MA TO92
DN2540N8Micrel / Microchip TechnologyDN2510 R2DUSTDN2470K4-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 700V 170MA TO252DN2540N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 400V 170MA TO243AADN2540N5SUPERTEX| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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