APTM20AM04FGの技術仕様
Microchip Technology - APTM20AM04FG技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APTM20AM04FG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 10mA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP6 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5mOhm @ 186A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1250W | |
| パッケージ/ケース | SP6 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 28900pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 560nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 372A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| 基本製品番号 | APTM20 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APTM20AM04FGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APTM20AM04FG | APTM50AM24SG | APTM100A13SG | APTM10AM02FG |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 基本製品番号 | APTM20 | APTM50 | APTM100 | APTM10 |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 372A | 150A | 65A | 495A |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200V | 500V | 1000V (1kV) | 100V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP6 | SP6 | SP6 | SP6 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5mOhm @ 186A, 10V | 28mOhm @ 75A, 10V | 156mOhm @ 32.5A, 10V | 2.5mOhm @ 200A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 28900pF @ 25V | 19600pF @ 25V | 15200pF @ 25V | 40000pF @ 25V |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 10mA | 5V @ 6mA | 5V @ 6mA | 4V @ 10mA |
| 電力 - 最大 | 1250W | 1250W | 1250W | 1250W |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 560nC @ 10V | 434nC @ 10V | 562nC @ 10V | 1360nC @ 10V |
| パッケージ/ケース | SP6 | SP6 | SP6 | SP6 |
APTM20AM04FG - Microchip TechnologyのAPTM20AM04FG PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
APTM20UM03FAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 580A SP6APTM50AM24SGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 500V 150A SP6APTM10UM01FGAPTIGBT Module
APTS006A0X-SRDZABB Power Electronics Inc.DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 33WAPTM100UM65SAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 145A SP6
APTR3216CGCKKingbrightLED GREEN CLEAR CHIP SMDAPTM50HM75STG-NDAPTIGBT ModuleAPTM10UM01FAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 860A SP6APTM100A13SGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6APTM10UM02FAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 570A SP6APTM10AM02FGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 100V 495A SP6APTM100UM65S-ALNMICROSEIGBT Module
APTM50AM17FMicrosemiIGBT ModuleAPTM100A13SCGMicrosemiAPTS003A0X-SRDZABB Power Electronics Inc.DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 16WAPTM100UM45FAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 215A SP6APTS003A0X-SRZABB Power Electronics Inc.DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 16WAPTM50HM75FRTAPTIGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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