APT75M50B2の技術仕様
Microchip Technology - APT75M50B2技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT75M50B2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | T-MAX™ | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 75mOhm @ 37A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1040W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11600 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 290 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT75M50 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT75M50B2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT75M50B2 | APT75M50L | APT77N60JC3 | APT77N60JC |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 77A (Tc) | - |
| 電力消費（最大） | 1040W (Tc) | 1040W (Tc) | 568W (Tc) | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11600 pF @ 25 V | 11600 pF @ 25 V | 13600 pF @ 25 V | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | APT75M50 | APT75M50 | APT77N60 | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 75mOhm @ 37A, 10V | 75mOhm @ 37A, 10V | 35mOhm @ 60A, 10V | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | T-MAX™ | TO-264 [L] | ISOTOP® | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 290 nC @ 10 V | 290 nC @ 10 V | 640 nC @ 10 V | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | - |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±20V | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| シリーズ | - | POWER MOS 8™ | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA | 3.9V @ 5.4mA | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant | TO-264-3, TO-264AA | SOT-227-4, miniBLOC | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 600 V | - |
APT75M50B2 - Microchip TechnologyのAPT75M50B2 PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
APT77N60JCMicrosemiIGBT Module
APT75GP120JDQ3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOPAPT75GT120JU3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227APT75GT120JDQ3MicrosemiIGBT ModuleAPT77N60JC3XAPTIGBT ModuleAPT75M50LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 75A TO264APT75GT120JRDQ3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 97A 480W ISOTOPAPT7846ADC07ANPCEAPT75GT120JDF3MicrosemiIGBT ModuleAPT7846ODAA1ANPCEAPT75GP120JRDQ3APTIGBT ModuleAPT75GT120JU2Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227APT7843NI-TRANPCEAPT77N60S06APTIGBT ModuleAPT75GP20JDQ3MicrosemiIGBT ModuleAPT75GT12OJRDQ3MicrosemiIGBT ModuleAPT7843ADC07ANPCEAPT77N60JC3Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 77A ISOTOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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