APT5020BNFRの技術仕様
Microchip Technology - APT5020BNFR技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT5020BNFR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AD | |
| シリーズ | POWER MOS IV® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 200mOhm @ 14A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 360W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3500 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 210 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A (Tc) |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT5020BNFRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT5020BNFR | APT5017BVFRG | APT5020BVFRG | APT5020BN |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A (Tc) | 30A (Tc) | 26A (Tc) | 28A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±30V | - | - | ±30V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | - | - | 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA |
| 電力消費（最大） | 360W (Tc) | - | - | 360W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 210 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V | 225 nC @ 10 V | 210 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 200mOhm @ 14A, 10V | 170mOhm @ 500mA, 10V | 200mOhm @ 500mA, 10V | 200mOhm @ 14A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3500 pF @ 25 V | 5280 pF @ 25 V | 4440 pF @ 25 V | 3500 pF @ 25 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AD | TO-247 [B] | TO-247 [B] | TO-247AD |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | POWER MOS IV® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS IV® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 500 V | 500 V |
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APT5017BVFRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 30A TO247APT5020HJNAPTIGBT Module
APT5022JNMicrosemiIGBT ModuleAPT5020BNRAPTAPT5020BVFRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 26A TO247APT5020BVRAPTAPT5018BLLAPTAPT5020BNMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 28A TO247ADAPT5018BFLLAPTAPT5023BNAPTAPT5020BVFRAPTAPT5015BVRAPTAPT5018SFLLG/TRMicrochipAPT5022BNRAPTIGBT ModuleAPT5022BNAPTAPT5018BLLGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 27A TO247APT501JNAPTIGBT ModuleAPT5017BVRAPT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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