APT32F120Jの技術仕様
Microchip Technology - APT32F120J技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT32F120J仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | |
| シリーズ | POWER MOS 8™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 320mOhm @ 25A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 960W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 18200 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 560 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT32F120 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT32F120Jと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT32F120J | APT34F60B | APT34F100L | APT34F100B2 |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 320mOhm @ 25A, 10V | 210mOhm @ 17A, 10V | 400mOhm @ 18A, 10V | 380mOhm @ 18A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | TO-247 [B] | TO-264 [L] | T-MAX™ [B2] |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA | 5V @ 1mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 560 nC @ 10 V | 165 nC @ 10 V | 305 nC @ 10 V | 305 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 18200 pF @ 25 V | 6640 pF @ 25 V | 9835 pF @ 25 V | 9835 pF @ 25 V |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 960W (Tc) | 624W (Tc) | 1135W (Tc) | 1135W (Tc) |
| シリーズ | POWER MOS 8™ | - | - | POWER MOS 8™ |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) | 36A (Tc) | 35A (Tc) | 35A (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | 600 V | 1000 V | 1000 V |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 | TO-264-3, TO-264AA | TO-247-3 Variant |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | APT32F120 | APT34F60 | APT34F100 | APT34F100 |
APT32F120J - Microchip TechnologyのAPT32F120J PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
APT3216SYCKKingbrightLED YELLOW CLEAR CHIP SMDAPT34F60BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 36A TO247
APT3216SECKKingbrightLED ORANGE CLEAR CHIP SMDAPT34F100LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 35A TO264
APT3216SURCKKingbrightLED RED CLEAR CHIP SMDAPT33GF120BRGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 52A 297W TO247APT3216SGCKingbrightLED GREEN CLEAR CHIP SMDAPT34F100B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
APT33GF120B2RDGAPTAPT32M80JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 33A ISOTOPAPT32F101F6P6APTCHIPAPT34M120JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 35A SOT227APT32F101F4M6APTCHIPAPT33GF120LRDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 64A 357W TO264APT32F101H4S6APTAPT3216SRCPRVKingbrightLED RED CLEAR CHIP SMDAPT32F1023H8S6APTCHIPAPT33GF120B2RDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 64A 357W TMAX| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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