APT30M40JVFRの技術仕様
Microchip Technology - APT30M40JVFR技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT30M40JVFR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 2.5mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | |
| シリーズ | POWER MOS V® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 450W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10200 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 425 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 300 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT30M40 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT30M40JVFRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT30M40JVFR | APT30M40JVR | APT30M19JVR | APT30M60J |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | ISOTOP® | ISOTOP® | ISOTOP® |
| シリーズ | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS 8™ |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA | 4V @ 5mA | 5V @ 2.5mA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 300 V | 300 V | 300 V | 600 V |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| 電力消費（最大） | 450W (Tc) | 450W (Tc) | 700W (Tc) | 355W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | APT30M40 | APT30M40 | APT30M19 | APT30M60 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Tc) | 70A (Tc) | 130A (Tc) | 31A (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 425 nC @ 10 V | 425 nC @ 10 V | 975 nC @ 10 V | 215 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 500mA, 10V | 40mOhm @ 500mA, 10V | 19mOhm @ 500mA, 10V | 150mOhm @ 21A, 10V |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10200 pF @ 25 V | 10200 pF @ 25 V | 21600 pF @ 25 V | 5890 pF @ 25 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
APT30M40JVFR - Microchip TechnologyのAPT30M40JVFR PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
APT30M40JVRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 300V 70A ISOTOP
APT30M85BNRAPTAPT30M19JVRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 300V 130A ISOTOPAPT30M60JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP
APT30M30B2FLLMicrosemi
APT30M70BVRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 300V 48A TO247APT30M75BFLLAPTAPT30M75BLLGAPTMICROSAPT30M36B2LLGMicrosemiAPT30M30JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 300V 88A ISOTOPAPT30M85BVRAPTAPT30M30B2LLAPTAPT30M80BVFRAPTAPT30M40LVRAPTIGBT ModuleAPT30M36LLLAPTIGBT ModuleAPT30GT60BRGMicrochip TechnologyIGBT 600V 64A 250W TO247APT30M30ALLAPTIGBT ModuleAPT30M36LFLLGAPT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。