APT18M80Bの技術仕様
Microchip Technology - APT18M80B技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT18M80B仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 [B] | |
| シリーズ | POWER MOS 8™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 530mOhm @ 9A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 500W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3760 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 19A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT18M80 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT18M80Bと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT18M80B | APT17F120J | APT19M120J | APT19F100J |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 [B] | ISOTOP® | ISOTOP® | ISOTOP® |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3760 pF @ 25 V | 9670 pF @ 25 V | 9670 pF @ 25 V | 8500 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 500W (Tc) | 545W (Tc) | 545W (Tc) | 460W (Tc) |
| 基本製品番号 | APT18M80 | APT17F120 | APT19M120 | APT19F100 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 19A (Tc) | 18A (Tc) | 19A (Tc) | 20A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 530mOhm @ 9A, 10V | 580mOhm @ 14A, 10V | 530mOhm @ 14A, 10V | 440mOhm @ 16A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| シリーズ | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ | POWER MOS 8™ |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | 1200 V | 1200 V | 1000 V |
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APT2012-ADE47KINGBRIGHAPT1608ZGCK-AMTKINGBRIGTHAPT17F120JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOPAPT1608YDAPTAPT19M120JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 19A ISOTOPAPT19F100JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 20A ISOTOP
APT2012CGCKKingbrightLED GREEN CLEAR CHIP SMD
APT1608ZGCKKingbrightLED GREEN CLEAR CHIP SMD
APT200GN60JDQ4Microchip TechnologyIGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
APT17ZTR-G1Diodes IncorporatedIC TRANSISTOR HIGH VOLT TO92
APT1608YCKingbrightLED YELLOW CLEAR CHIP SMDAPT1608ZGCKingbrightLED GREEN CLEAR CHIP SMDAPT2012ECKingbrightLED RED CLEAR CHIP SMD
APT1608VGCKKingbrightAPT200GT60JRMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 195A 500W SOT227
APT17NTR-G1Diodes IncorporatedTRANS NPN 480V 0.05A SOT23-3APT200GN60JMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
APT18M100BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 18A TO247| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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