APT100F50Jの技術仕様
Microchip Technology - APT100F50J技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT100F50J仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 5mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | |
| シリーズ | POWER MOS 8™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 36mOhm @ 75A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 960W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 24600 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 620 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 103A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT100 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT100F50Jと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT100F50J | APT100M50J | APT10090BLLG | APT10090BLL |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | APT |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 103A (Tc) | 103A (Tc) | 12A (Tc) | - |
| 電力消費（最大） | 960W (Tc) | 960W (Tc) | 298W (Tc) | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 5mA | 5V @ 5mA | 5V @ 1mA | - |
| 基本製品番号 | APT100 | APT100 | APT10090 | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 620 nC @ 10 V | 620 nC @ 10 V | 71 nC @ 10 V | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | - |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | SOT-227 | TO-247 [B] | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 1000 V | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 36mOhm @ 75A, 10V | 38mOhm @ 75A, 10V | 950mOhm @ 6A, 10V | - |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | - |
| シリーズ | POWER MOS 8™ | - | POWER MOS 7® | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 24600 pF @ 25 V | 24600 pF @ 25 V | 1969 pF @ 25 V | - |
APT100F50J - Microchip TechnologyのAPT100F50J PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
APT10090BLLAPTAPT100DL60BGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 100A TO247
APT10045JNMicrosemiIGBT ModuleAPT10045LFLLGMicrosemi
APT100GT60JRMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOPAPT100GT60JRDQ4Microchip TechnologyIGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOPAPT10050LVRAPTAPT10053LNRGAPTAPT100S20BMicrosemiAPT100M50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 103A SOT227APT100GT120JRDLAPTIGBT ModuleAPT100GN120JMicrochip TechnologyIGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOPAPT100GF60JRDAPTIGBT ModuleAPT10050B2VRGAPTAPT10050JNAPTIGBT ModuleAPT100S20BGMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247APT100S20LCTGMicrochip TechnologyDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264APT10090BLLGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 12A TO247| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。