2N5076の技術仕様
Microchip Technology - 2N5076技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - 2N5076仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Microchip Technology | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 250 V | |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 2V @ 300µA, 500µA | |
トランジスタ型式 | NPN | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-59 | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 40 W | |
パッケージ/ケース | TO-210AA, TO-59-4, Stud |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
装着タイプ | Stud Mount | |
周波数 - トランジション | - | |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | - | |
電流 - コレクタ遮断(最大) | - | |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 3 A |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology 2N5076と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | 2N5076 | 2N5087 | 2N5087 | 2N5087TA |
メーカー | Microchip Technology | Central Semiconductor | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | onsemi |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | - | 250 @ 100µA, 5V | - | 250 @ 100µA, 5V |
シリーズ | - | - | * | - |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 3 A | 50mA | - | 100 mA |
周波数 - トランジション | - | 40MHz | - | 40MHz |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-59 | TO-92 | - | TO-92-3 |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 2V @ 300µA, 500µA | 300mV @ 1mA, 10mA | - | 300mV @ 1mA, 10mA |
トランジスタ型式 | NPN | PNP | - | PNP |
電力 - 最大 | 40 W | 625mW | - | 625 mW |
運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
パッケージ | Bulk | - | - | Tape & Box (TB) |
装着タイプ | Stud Mount | Through Hole | - | Through Hole |
パッケージ/ケース | TO-210AA, TO-59-4, Stud | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 250 V | 50V | - | 50 V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | - | 50nA (ICBO) | - | 50nA |
2N5076 - Microchip Technologyの2N5076 PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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