2N3762の技術仕様
Microchip Technology - 2N3762技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - 2N3762仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Microchip Technology | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 40 V | |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 900mV @ 100mA, 1A | |
トランジスタ型式 | PNP | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-39 (TO-205AD) | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 1 W | |
パッケージ/ケース | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
運転温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
周波数 - トランジション | - | |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 30 @ 1A, 1.5V | |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 10µA (ICBO) | |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 1.5 A |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology 2N3762と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | 2N3762 | 2N3740 | 2N3771 | 2N3772 |
メーカー | Microchip Technology | Central Semiconductor Corp | Solid State Inc. | Microchip Technology |
パッケージ | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 10µA (ICBO) | 1mA | 10mA | 5mA |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 30 @ 1A, 1.5V | 40 @ 100mA, 1V | 15 @ 15A, 4V | 15 @ 10A, 4V |
電力 - 最大 | 1 W | 25 W | 150 W | 6 W |
トランジスタ型式 | PNP | - | NPN | NPN |
周波数 - トランジション | - | 4MHz | 200kHz | - |
シリーズ | - | - | - | - |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 1.5 A | 4 A | 30 A | 5 mA |
運転温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-39 (TO-205AD) | TO-66 | TO-3 | TO-3 |
パッケージ/ケース | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-213AA, TO-66-2 | TO-204AA, TO-3 | TO-204AA, TO-3 |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 900mV @ 100mA, 1A | 600mV @ 125mA, 1A | 4V @ 6A, 30A | 4V @ 4A, 20A |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 40 V | 60 V | 40 V | 60 V |
2N3762 - Microchip Technologyの2N3762 PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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