2N3019の技術仕様
Microchip Technology - 2N3019技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - 2N3019仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Microchip Technology | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 80 V | |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 500mV @ 50mA, 500mA | |
トランジスタ型式 | NPN | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-5 | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 800 mW | |
パッケージ/ケース | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
周波数 - トランジション | - | |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 50 @ 500mA, 10V | |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 10µA (ICBO) | |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 1 A | |
基本製品番号 | 2N3019 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology 2N3019と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | 2N3019 | 2N3013 | 2N3054 | 2N3013 |
メーカー | Microchip Technology | onsemi | Microchip Technology | Microchip Technology |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 500mV @ 50mA, 500mA | 500mV @ 30mA, 300mA | - | - |
電力 - 最大 | 800 mW | 360 mW | - | - |
周波数 - トランジション | - | 350MHz | - | - |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 1 A | 200 mA | - | - |
運転温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | - | - | - |
パッケージ/ケース | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | - | - |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 50 @ 500mA, 10V | 30 @ 30mA, 400mV | - | - |
シリーズ | - | - | * | * |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 80 V | 15 V | - | - |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | - | - |
パッケージ | Bulk | - | Bulk | Bulk |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-5 | TO-18 | - | - |
トランジスタ型式 | NPN | NPN | - | - |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 10µA (ICBO) | 300nA | - | - |
基本製品番号 | 2N3019 | 2N3013 | - | - |
2N3019 - Microchip Technologyの2N3019 PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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