23LCV512-I/STの技術仕様
Microchip Technology - 23LCV512-I/ST技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - 23LCV512-I/ST仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | |
| 電源電圧 - | 2.5V ~ 5.5V | |
| 技術 | SRAM - Synchronous | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| メモリタイプ | Volatile | |
| 記憶容量 | 512Kbit | |
| メモリ組織 | 64K x 8 | |
| メモリインタフェース | SPI - Dual I/O | |
| メモリ形式 | SRAM | |
| クロック周波数 | 20 MHz | |
| 基本製品番号 | 23LCV512 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology 23LCV512-I/STと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 23LCV512-I/ST | W29N01GVDIAA | 24LCS21A/SN | 23LC512-I/SN |
| メーカー | Microchip Technology | Winbond Electronics | Microchip Technology | Microchip Technology |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 基本製品番号 | 23LCV512 | W29N01 | 24LCS21A | 23LC512 |
| 技術 | SRAM - Synchronous | FLASH - NAND (SLC) | EEPROM | SRAM |
| 電源電圧 - | 2.5V ~ 5.5V | 2.7V ~ 3.6V | 2.5V ~ 5.5V | 2.5V ~ 5.5V |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 48-VFBGA | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| メモリインタフェース | SPI - Dual I/O | Parallel | I²C | SPI - Quad I/O |
| メモリタイプ | Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Volatile |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | - | - | - | - |
| メモリ組織 | 64K x 8 | 128M x 8 | 128 x 8 | 64K x 8 |
| クロック周波数 | 20 MHz | - | 400 kHz | 20 MHz |
| パッケージ | Tube | Tray | Tube | Tube |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - | 25ns | 10ms | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP | 48-VFBGA (8x6.5) | 8-SOIC | 8-SOIC |
| メモリ形式 | SRAM | FLASH | EEPROM | SRAM |
| 記憶容量 | 512Kbit | 1Gbit | 1Kbit | 512Kbit |
23LCV512-I/ST - Microchip Technologyの23LCV512-I/ST PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
W29N01GVDIAAWinbond ElectronicsIC FLASH 1GBIT PARALLEL 48VFBGA24LCS21A/SNMicrochip TechnologyIC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC23LC512-I/SNMicrochip TechnologyIC SRAM 512KBIT SPI/QUAD 8SOIC
W29N04GVSIAAWinbond ElectronicsIC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
AT29C256-12TCMicrochip TechnologyIC FLASH 256KBIT PARALLEL 28TSOP23LC512-I/STMicrochip TechnologyIC SRAM 512KBIT SPI/QUAD 8TSSOP23LC1024-I/STMicrochip TechnologyIC SRAM 1MBIT SPI/QUAD 8TSSOP23LCV1024-I/STMicrochip TechnologyIC SRAM 1MBIT SPI/DUAL 8TSSOP23LC1024-I/SNMicrochip TechnologyIC SRAM 1MBIT SPI/QUAD 8SOIC23LCV1024-I/SNMicrochip TechnologyIC SRAM 1MBIT SPI/DUAL 8SOIC23LC1024T-I/STMicrochip TechnologyIC SRAM 1MBIT SPI/QUAD 8TSSOP23LC1024T-I/SNMicrochip TechnologyIC SRAM 1MBIT SPI/QUAD 8SOIC
EDF8164A3PF-GD-F-DMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 800MHZ
MR2A16AMA35Everspin Technologies Inc.IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
23LCB-I/SNMicrel / Microchip Technology
M25P40-VMP6GMicron Technology Inc.IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8VDFPN
W9812G6KH-6IWinbond ElectronicsIC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP IICAV24C64YE-GT3onsemiIC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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