1N5822Gの技術仕様
Microchip Technology - 1N5822G技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - 1N5822G仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Microchip Technology | |
技術 | Schottky | |
サプライヤデバイスパッケージ | B | |
速度 | - | |
シリーズ | - | |
パッケージ/ケース | Axial |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
動作温度 - ジャンクション | - | |
装着タイプ | Through Hole | |
電流 - 平均整流(イオ) | - | |
Vrと、F @キャパシタンス | - |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology 1N5822Gと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | 1N5822G | 1N5822-E3/54 | 1N5824 | 1N5822RL |
メーカー | Microchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Solid State Inc. | STMicroelectronics |
パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | - | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | 150°C (Max) |
技術 | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
シリーズ | - | - | - | - |
パッケージ/ケース | Axial | DO-201AD, Axial | Axial | DO-201AD, Axial |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
電流 - 平均整流(イオ) | - | 3A | 15A | 3A |
サプライヤデバイスパッケージ | B | DO-201AD | Axial | DO-201AD |
Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
速度 | - | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
1N5822G - Microchip Technologyの1N5822G PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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