1N5622の技術仕様
Microchip Technology - 1N5622技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - 1N5622仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.3 V @ 3 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1000 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | A, Axial | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 2 µs |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | A, Axial | |
| パッケージ | Bulk | |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 200°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 500 nA @ 1000 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | |
| 基本製品番号 | 1N5622 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology 1N5622と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 1N5622 | 1N5618 | 1N5552 | 1N5619 |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| 基本製品番号 | 1N5622 | 1N5618 | - | 1N5619 |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | 1A | 3A | 1A |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.3 V @ 3 A | 1.3 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1.6 V @ 3 A |
| パッケージ/ケース | A, Axial | A, Axial | Axial | A, Axial |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1000 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
| シリーズ | - | - | - | - |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | 100pF @ 12V, 1MHz | 25pF @ 12V, 1MHz |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | A, Axial | A, Axial | Axial | A, Axial |
| 逆回復時間（trrの） | 2 µs | 2 µs | 2 µs | 250 ns |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 500 nA @ 1000 V | 500 nA @ 600 V | 1 µA @ 600 V | 500 nA @ 600 V |
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1N5618Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N5552Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL1N5619Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
1N5624GPElectro-Films (EFI) / Vishay
1N5626-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 600V 3A SOD641N5624Harris CorporationDIODE GEN PURP 200V 3A SOD641N5627NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 800V 3A SOD64
1N5629ASolid State Inc.TVS DIODE D0-131N5617Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL1N5630ASolid State Inc.TVS DIODE D0-131N5615GP-E3-4Electro-Films (EFI) / Vishay1N5624NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 3A SOD64
1N5552Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
1N5629AMicrochip TechnologyTVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13
1N5557Microchip TechnologyTVS DIODE 49VWM 78.5VC DO131N5615Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL1N5630AMicrochip TechnologyTVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO13
1N5620USJANTXMicrosemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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