1N4685の技術仕様
Microchip Technology - 1N4685技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - 1N4685仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Microchip Technology | |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 3.6 V | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 200 mA | |
公差 | ±5% | |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 (DO-204AH) | |
シリーズ | - |
製品属性 | 属性値 | |
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電力 - 最大 | 500 mW | |
パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | |
パッケージ | Bulk | |
運転温度 | -65°C ~ 175°C (TA) | |
装着タイプ | Through Hole | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 7.5 µA @ 2 V |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology 1N4685と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | 1N4685 | 1N4682 | 1N4686 | 1N4679 |
メーカー | Microchip Technology | onsemi | Microchip Technology | Microchip Technology |
装着タイプ | Through Hole | - | Through Hole | Through Hole |
パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | - | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 3.6 V | - | 3.9 V | 2 V |
シリーズ | - | * | MIL-PRF-19500 | MIL-PRF-19500 |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 200 mA | - | 1.1 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA |
電力 - 最大 | 500 mW | - | 500 mW | 500 mW |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 7.5 µA @ 2 V | - | 5 µA @ 2 V | 5 µA @ 1 V |
パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 (DO-204AH) | - | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 (DO-204AH) |
公差 | ±5% | - | ±5% | ±5% |
運転温度 | -65°C ~ 175°C (TA) | - | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
1N4685 - Microchip Technologyの1N4685 PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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