CSD86330Q3Dの技術仕様
Texas Instruments - CSD86330Q3D技術仕様、属性、パラメーター、およびTexas Instruments - CSD86330Q3D仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Texas Instruments | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-LSON (3.3x3.3) | |
| シリーズ | NexFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.6mOhm @ 14A, 8V | |
| 電力 - 最大 | 6W | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerLDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 920pF @ 12.5V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.2nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| 基本製品番号 | CSD86330Q3 |
右側の三つのパーツはTexas Instruments CSD86330Q3Dと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | CSD86330Q3D | CSD87312Q3E | CSD86360Q5D | CSD75301W1015 |
| メーカー | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 基本製品番号 | CSD86330Q3 | CSD87312Q3 | CSD86360Q5 | CSD75301 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerLDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerLDFN | 6-UFBGA, DSBGA |
| シリーズ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.2nC @ 4.5V | 8.2nC @ 4.5V | 12.6nC @ 4.5V | 2.1nC @ 4.5V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Dual) Common Source | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 P-Channel (Dual) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25V | 30V | 25V | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A | 27A | 50A | 1.2A |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力 - 最大 | 6W | 2.5W | 13W | 800mW |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 250µA | 1.3V @ 250µA | 2.1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 920pF @ 12.5V | 1250pF @ 15V | 2060pF @ 12.5 | 195pF @ 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.6mOhm @ 14A, 8V | 33mOhm @ 7A , 8V | - | 100mOhm @ 1A, 4.5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-LSON (3.3x3.3) | 8-VSON (3.3x3.3) | 8-LSON (5x6) | 6-DSBGA (1x1.5) |
CSD86330Q3D - Texas InstrumentsのCSD86330Q3D PDFデータテーブルとTexas Instrumentsドキュメントをダウンロード
CSD87312Q3ETexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSONCSD86360Q5DTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 25V 50A 8SONCSD75301W1015Texas InstrumentsMOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGACSD87313DMSTTexas InstrumentsMOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
CSD75211W1723Texas InstrumentsMOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGACSD85312Q3ETexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSONCSD86356Q5DTexas Instruments25V POWERBLOCK N CH MOSFETCSD75208W1015TTexas InstrumentsMOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLPCSD87313DMSTexas InstrumentsMOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSONCSD86311W1723Texas InstrumentsMOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGACSD86350Q5DTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 25V 40A 8SONCSD86350Q5DTTexas Instruments25V POWERBLOCK N CH MOSFETCSD87331Q3DTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSONCSD85301Q2Texas InstrumentsMOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSONCSD87330Q3DTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 30V 20A 8SONCSD85302LTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 20V 5ACSD83325LTTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTARCSD83325LTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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