CSD25310Q2の技術仕様
Texas Instruments - CSD25310Q2技術仕様、属性、パラメーター、およびTexas Instruments - CSD25310Q2仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Texas Instruments | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.1V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±8V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-WSON (2x2) | |
シリーズ | NexFET™ | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 23.9mOhm @ 5A, 4.5V | |
電力消費(最大) | 2.9W (Ta) | |
パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 655 pF @ 10 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Ta) | |
基本製品番号 | CSD25310 |
右側の三つのパーツはTexas Instruments CSD25310Q2と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | CSD25310Q2 | CSD25481F4 | CSD25201W15 | CSD25402Q3A |
メーカー | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-WSON (2x2) | 3-PICOSTAR | 9-DSBGA | 8-VSONP (3x3.15) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.1V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.1V @ 250µA | 1.15V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±8V | -12V | -6V | ±12V |
シリーズ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ |
FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
電力消費(最大) | 2.9W (Ta) | 500mW (Ta) | 1.5W (Ta) | 2.8W (Ta), 69W (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
基本製品番号 | CSD25310 | CSD25481 | CSD25201 | CSD25402Q3 |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V | 0.913 nC @ 4.5 V | 5.6 nC @ 4.5 V | 9.7 nC @ 4.5 V |
FET特長 | - | - | - | - |
パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad | 3-XFDFN | 9-UFBGA, DSBGA | 8-PowerVDFN |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 23.9mOhm @ 5A, 4.5V | 88mOhm @ 500mA, 8V | 40mOhm @ 2A, 4.5V | 8.9mOhm @ 10A, 4.5V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Ta) | 2.5A (Ta) | 4A (Ta) | 76A (Tc) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 655 pF @ 10 V | 189 pF @ 10 V | 510 pF @ 10 V | 1790 pF @ 10 V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
CSD25310Q2 - Texas InstrumentsのCSD25310Q2 PDFデータテーブルとTexas Instrumentsドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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