CSD22202W15の技術仕様
Texas Instruments - CSD22202W15技術仕様、属性、パラメーター、およびTexas Instruments - CSD22202W15仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Texas Instruments | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | -6V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 9-DSBGA | |
| シリーズ | NexFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12.2mOhm @ 2A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 9-UFBGA, DSBGA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1390 pF @ 4 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.4 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 8 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta) | |
| 基本製品番号 | CSD22202 |
右側の三つのパーツはTexas Instruments CSD22202W15と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | CSD22202W15 | CSD22204W | CSD22205LT | CSD19537Q3 |
| メーカー | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1390 pF @ 4 V | 1130 pF @ 4 V | 1390 pF @ 4 V | 1680 pF @ 50 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.1V @ 250µA | 950mV @ 250µA | 1.05V @ 250µA | 3.6V @ 250µA |
| Vgs（最大） | -6V | -6V | -6V | ±20V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12.2mOhm @ 2A, 4.5V | 9.9mOhm @ 2A, 4.5V | 9.9mOhm @ 1A, 4.5V | 14.5mOhm @ 10A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta) | 5A (Ta) | 7.4A (Ta) | 50A (Ta) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 9-UFBGA, DSBGA | 9-UFBGA, DSBGA | 4-XFLGA | 8-PowerVDFN |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Ta) | 1.7W (Ta) | 600mW (Ta) | 2.8W (Ta), 83W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.4 nC @ 4.5 V | 24.6 nC @ 4.5 V | 8.5 nC @ 4.5 V | 21 nC @ 10 V |
| シリーズ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ |
| 基本製品番号 | CSD22202 | CSD22204 | CSD22205 | CSD19537 |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 6V, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 9-DSBGA | 9-DSBGA | 4-PICOSTAR | 8-VSON (3.3x3.3) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 8 V | 8 V | 8 V | 100 V |
CSD22204WTexas InstrumentsMOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGACSD22205LTTexas InstrumentsMOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTARCSD19537Q3Texas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSONCSD19538Q3ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 15A 8VSONCSD19538Q3ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 15A 8VSONCSD22206WTexas InstrumentsMOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGACSD22205LTexas InstrumentsMOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTARCSD19536KTTTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 200A DDPAKCSD19538Q2Texas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSONCSD23280F3TTexas InstrumentsMOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
CSD206A0Cree LED
CSD23202W10Texas InstrumentsMOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGACSD23280F3Texas InstrumentsMOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
CSD23203WTexas InstrumentsMOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGACSD23202W10TTexas InstrumentsMOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGACSD19538Q2TTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSONCSD20060Cree LEDCSD23201W10Texas InstrumentsMOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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