CSD18536KTTの技術仕様
Texas Instruments - CSD18536KTT技術仕様、属性、パラメーター、およびTexas Instruments - CSD18536KTT仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Texas Instruments | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | DDPAK/TO-263-3 | |
シリーズ | NexFET™ | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.6mOhm @ 100A, 10V | |
電力消費(最大) | 375W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 11430 pF @ 30 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 140 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200A (Ta) | |
基本製品番号 | CSD18536 |
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | |
湿度感度レベル(MSL) | 2 (1 Year) |
州に到達します | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
右側の三つのパーツはTexas Instruments CSD18536KTTと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | CSD18536KTT | CSD18541F5 | CSD18534Q5A | CSD18537NQ5A |
メーカー | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
パッケージ/ケース | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | 3-SMD, No Lead | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
FET特長 | - | - | - | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 6V, 10V |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 11430 pF @ 30 V | 777 pF @ 30 V | 1770 pF @ 30 V | 1480 pF @ 30 V |
基本製品番号 | CSD18536 | CSD18541 | CSD18534 | CSD18537 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.6mOhm @ 100A, 10V | 65mOhm @ 1A, 10V | 9.8mOhm @ 14A, 10V | 13mOhm @ 12A, 10V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.3V @ 250µA | 3.5V @ 250µA |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200A (Ta) | 2.2A (Ta) | 13A (Ta), 50A (Tc) | 50A (Tc) |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 140 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V |
サプライヤデバイスパッケージ | DDPAK/TO-263-3 | 3-PICOSTAR | 8-VSONP (5x6) | 8-VSONP (5x6) |
シリーズ | NexFET™ | FemtoFET™ | NexFET™ | NexFET™ |
電力消費(最大) | 375W (Tc) | 500mW (Ta) | 3.1W (Ta), 77W (Tc) | 3.2W (Ta), 75W (Tc) |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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