CSD18503Q5Aの技術仕様
Texas Instruments - CSD18503Q5A技術仕様、属性、パラメーター、およびTexas Instruments - CSD18503Q5A仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Texas Instruments | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.3V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-VSONP (5x6) | |
シリーズ | NexFET™ | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.3mOhm @ 22A, 10V | |
電力消費(最大) | 3.1W (Ta), 120W (Tc) | |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2640 pF @ 20 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 19A (Ta), 100A (Tc) | |
基本製品番号 | CSD18503 |
右側の三つのパーツはTexas Instruments CSD18503Q5Aと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | CSD18503Q5A | CSD18504Q5A | CSD18502Q5B | CSD18510KTT |
メーカー | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-VSONP (5x6) | 8-VSONP (5x6) | 8-VSON-CLIP (5x6) | DDPAK/TO-263-3 |
FET特長 | - | - | - | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 19A (Ta), 100A (Tc) | 15A (Ta), 50A (Tc) | 26A (Ta), 100A (Tc) | 274A (Tc) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.3mOhm @ 22A, 10V | 6.6mOhm @ 17A, 10V | 2.3mOhm @ 30A, 10V | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
シリーズ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2640 pF @ 20 V | 1656 pF @ 20 V | 5070 pF @ 20 V | 11400 pF @ 20 V |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
電力消費(最大) | 3.1W (Ta), 120W (Tc) | 3.1W (Ta), 77W (Tc) | 3.2W (Ta), 156W (Tc) | 250W (Ta) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 32 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V | 68 nC @ 10 V | 153 nC @ 10 V |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
基本製品番号 | CSD18503 | CSD18504 | CSD18502 | CSD18510 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.3V @ 250µA | 2.4V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.3V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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