CSD16411Q3の技術仕様
Texas Instruments - CSD16411Q3技術仕様、属性、パラメーター、およびTexas Instruments - CSD16411Q3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Texas Instruments | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | +16V, -12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-VSONP (3x3.15) | |
| シリーズ | NexFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10mOhm @ 10A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.7W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 570 pF @ 12.5 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Ta), 56A (Tc) | |
| 基本製品番号 | CSD16411 |
右側の三つのパーツはTexas Instruments CSD16411Q3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | CSD16411Q3 | CSD16413Q5A | CSD16570Q5B | CSD16410Q5A |
| メーカー | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 基本製品番号 | CSD16411 | CSD16413 | CSD16570 | CSD16410 |
| シリーズ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-VSONP (3x3.15) | 8-VSONP (5x6) | 8-VSON-CLIP (5x6) | 8-VSONP (5x6) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.3V @ 250µA | 1.9V @ 250µA | 1.9V @ 250µA | 2.3V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V | 11.7 nC @ 4.5 V | 250 nC @ 10 V | 5 nC @ 4.5 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Vgs（最大） | +16V, -12V | +16V, -12V | ±20V | +16V, -12V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 570 pF @ 12.5 V | 1780 pF @ 12.5 V | 14000 pF @ 12 V | 740 pF @ 12.5 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10mOhm @ 10A, 10V | 3.9mOhm @ 24A, 10V | 0.59mOhm @ 50A, 10V | 8.5mOhm @ 17A, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力消費（最大） | 2.7W (Ta) | 3.1W (Ta) | 3.2W (Ta), 195W (Tc) | 3W (Ta) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 14A (Ta), 56A (Tc) | 24A (Ta), 100A (Tc) | 100A (Ta) | 16A (Ta), 59A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | 25 V | 25 V | 25 V |
CSD16411Q3 - Texas InstrumentsのCSD16411Q3 PDFデータテーブルとTexas Instrumentsドキュメントをダウンロード
CSD16406Q3.EE11CSD16413Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSONCSD16570Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 100A 8VSONCSD16411Q3 MOSTexas InstrumentsCSD16410Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSONCSD16415Q5Texas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 100A 8VSONCSD16556Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 100A 8VSONCSD16407Q5CTexas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSONCSD16408Q5Texas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSONCSD16410Texas InstrumentsCSD16412Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSONCSD16409Q3 MOSTexas InstrumentsCSD16409Q3Texas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSONCSD16414Q5Texas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSONCSD16407Q5Texas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSONCSD16406Q3Texas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSONCSD16414Q5ATexas InstrumentsCSD16407Texas Instruments| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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