SP8M6TBの技術仕様
Rohm Semiconductor - SP8M6TB技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - SP8M6TB仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 51mOhm @ 5A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 230pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.9nC @ 5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A, 3.5A | |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
| 基本製品番号 | SP8M6 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor SP8M6TBと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SP8M6TB | SP8M51TB1 | SP8M4FU6TB | SP8M51FRATB |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP |
| FET特長 | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | - |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | SP8M6 | SP8M51 | SP8M4 | SP8M51 |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 51mOhm @ 5A, 10V | - | 18mOhm @ 9A, 10V | 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V |
| 電力 - 最大 | 2W | 2W | 2W | 2W |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.9nC @ 5V | - | 21nC @ 5V | 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 100V | 30V | 100V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | - | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A, 3.5A | 3A, 2.5A | 9A, 7A | 3A (Ta), 2.5A (Ta) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 230pF @ 10V | - | 1190pF @ 10V | 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V |
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SP8M51TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8SP8M4FU6TBRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
SP8M6 TBLAPIS Technology
SP8M51-TBVBSEMISP8M63-TBVBSEMISP8M6-TBVBSEMISP8M8-TBSP8M8 FD5TBLAPIS TechnologySP8M7-TBVBSEMISP8M51LAPIS TechnologySP8M51FRATBRohm Semiconductor4V DRIVE NCH+PCH MOSFETSP8M8F5DTB1LAPIS TechnologySP8M4TBRohm SemiconductorTRANS MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-SP8M8FD5TBLAPIS TechnologySP8M7TBRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOICSP8M5-TBVBSEMISP8M70TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOICSP8M70TB1 MOSLAPIS Technology| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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