SP8K4TBの技術仕様
LAPIS Semiconductor - SP8K4TB技術仕様、属性、パラメーター、およびLAPIS Semiconductor - SP8K4TB仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 17 mOhm @ 9A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2W | |
| パッケージング | Original-Reel® | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| 他の名前 | SP8K4TBDKR | |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1190pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 21nC @ 5V | |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOP | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A | |
| ベース部品番号 | *K4 |
右側の三つのパーツはLAPIS Semiconductor SP8K4TBと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SP8K4TB | SP8K5FU6TB | SP8K3FU6TB | SP8K4FU6TB |
| メーカー | LAPIS Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 21nC @ 5V | 3.5nC @ 5V | 11.8nC @ 5V | 21nC @ 5V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1190pF @ 10V | 140pF @ 10V | 600pF @ 10V | 1190pF @ 10V |
| ベース部品番号 | *K4 | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 17 mOhm @ 9A, 10V | 83mOhm @ 3.5A, 10V | 24mOhm @ 7A, 10V | 17mOhm @ 9A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP | 8-SOP |
| パッケージング | Original-Reel® | - | - | - |
| 他の名前 | SP8K4TBDKR | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A | 3.5A | 7A | 9A |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 30V | 30V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力 - 最大 | 2W | 2W | 2W | 2W |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOP | - | - | - |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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SP8K5FU6TBRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
SP8K4FU7TBLAPIS TechnologySP8K4FU6TB MOSLAPIS TechnologySP8K3FMTTBLAPIS TechnologySP8K4-TBVBSEMISP8K4TB1LAPIS TechnologySP8K3FU6TBRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOICSP8K4FU6TBRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOICSP8K5 F TBLAPIS TechnologySP8K3FU6TB MOSLAPIS TechnologySP8K5FU7TBLAPIS TechnologySP8K5TLAPIS TechnologySP8K5TBRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOICSP8K51LAPIS TechnologySP8K4GTB1LAPIS TechnologySP8K5-TBVBSEMISP8K51E00TBLAPIS TechnologySP8K3TBRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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